公开(公告)号：CN108342702A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810126896.6

申请日：2018-02-08

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  康亮亮 ,  张阳 ,  蒋良兴 ,  翁娜娜 ,  李靖

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法，该铜锶锡硫硒薄膜材料的制备方法包括：在清洁处理后的基材表面通过反应溅射沉积Cu-Sr-Sn-S/Se预制层；将表面沉积有预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu2SrSn(SxSe1-x)4的表面进行刻蚀处理，得到高质量Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料。本发明提出的Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。

公开(公告)号：CN108277467A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810127002.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  康亮亮 ,  李靖 ,  蒋良兴 ,  翁娜娜 ,  张阳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种Cu2BaSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法，该铜钡锡硫硒薄膜材料的制备方法包括：在清洁处理后的基材表面通过反应溅射沉积Cu-Ba-Sn-S/Se预制层；将表面沉积有预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu2BaSn(SxSe1-x)4的表面进行刻蚀处理，得到高质量Cu2BaSn(SxSe1-x)4薄膜材料。本发明提出的Cu2BaSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。

公开(公告)号：CN108251811A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810062500.6

申请日：2018-01-23

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  康亮亮 ,  翁娜娜 ,  蒋良兴 ,  李靖 ,  张阳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/5873

Abstract: 本发明公开了一种In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法，该In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法包括：第一步，对基材表面进行清洁处理；第二步，在清洁处理后的基材表面通过磁控反应溅射法一步沉积In2(SxSe1‑x)3薄膜，其中，0≤x≤1；第三步，对In2(SxSe1‑x)3薄膜表面进行刻蚀处理。本发明提出的In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，优越的结晶质量及透光性。