-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105692696A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610065059.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 中南大学
IPC: C01G29/00 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: C01G29/00 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长，制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密，且具有良好的光电性能。
-
公开(公告)号：CN107937969A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711123142.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种GN-Sb2Se3复合薄膜的制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明采用电沉积与热处理相结合制备出了性能优越的成品。其具体操作为：首先将导电基底作为电极体系的工作电极置于电解液中，用电沉积的方法制备所需要的GN-Sb2Se3或GN-Sb薄膜，随后对基底进行热处理，上述GN-Sb2Se3薄膜在保护气体中热处理，GN-Sb薄膜则进行硒化热处理，最后得到GN-Sb2Se3复合薄膜。本发明可以控制成品薄膜的厚度和成分，所制备复合薄膜比表面积大、GN和Sb2Se3两者结合紧密、结晶性能和物理化学性能优良。本发明具有所需设备简单、制备成本低、易于大规模生产、所得产品光电性能优良等优点。
-
公开(公告)号：CN107829071B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711143977.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu‑Sb‑S预制层；将表面沉积有Cu‑Sb‑S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu‑Sb‑S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
-
公开(公告)号：CN107829071A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711143977.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu-Sb-S预制层；将表面沉积有Cu-Sb-S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu-Sb-S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
-
公开(公告)号：CN105692696B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610065059.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 中南大学
IPC: C01G29/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长，制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密，且具有良好的光电性能。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.025 seconds)
