公开(公告)号：CN104576722A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410813021.5

申请日：2014-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华半导体有限公司 ,  苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  易扬波 ,  苏巍 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种高可靠性的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底、埋氧层，N型漂移区，二氧化硅层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，在P型发射极和N型发射极上连接有发射极电极金属连线，在N型缓冲层中设有P型集电极，在P型集电极上连接有集电极金属，在二氧化硅层内设有多晶硅栅和多晶硅场板，在多晶硅栅上连接有栅极金属，在N型漂移区内还设有一排沟槽，在每个沟槽的内壁上设有一层二氧化硅，在二氧化硅内填充多晶硅，所述沟槽与P型体区、P型发射极、N型发射极和多晶硅栅的U字形开口相邻，所述沟槽位于集电极金属的下方且与集电极金属垂直。

公开(公告)号：CN114123760A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111510499.7

申请日：2021-12-10

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 高维 ,  李海松 ,  陶平 ,  易扬波

IPC: H02M1/42 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种控制方法及装置、主动式功率因数校正电路、芯片，该方法用于控制填谷电路，填谷电路用于对整流电路整流后的直流电进行功率因数校正，该方法包括：采样所述整流电路的输入电压，并对所述输入电压进行检测；根据检测结果控制所述填谷电路进行工作模式转换，所述填谷电路的工作模式包括：高压填谷模式、低压电容滤波模式。利用本发明方案，可以避免低输入电压时填谷电路中滤波电容上电压过低对开关电源变换器的带载能力及输出特性的影响。

公开(公告)号：CN105097903B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN200910212769.9

申请日：2009-11-09

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 李海松 ,  王钦 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  祝靖 ,  刘斯扬 ,  易扬波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端第二鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。

公开(公告)号：CN108718154B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201810540149.7

申请日：2018-05-30

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 刘文亮 ,  李海松 ,  赵倡申 ,  易扬波

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明涉及开关电源恒压输出的调节电路，包含第一比较器、第一RS锁存器、采样保持单元、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一运放、低通滤波单元、第二比较器、第二RS锁存器、驱动模块、功率晶体管以及恒压输出调整电路，恒压输出调整电路包含补偿电流模块、频率调节模块和采样补偿模块。在交流输入电压较低且输出功率较大和/或开关电源工作于连续电流模式时，调节开关频率和/或输出电压反馈管脚上电压的采样时刻和/或输出电压反馈管脚上的电压随输入电容上电压变化而变化，抑制输出电压随该输入电容上电压变化而变化差生的纹波，调节开关频率的变化，扩展开关频率频谱。

公开(公告)号：CN106208662B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610571170.4

申请日：2016-07-20

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 李海松 ,  赵倡申 ,  刘文亮 ,  易扬波

IPC: H02M1/36 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了输出恒压补偿电路，电流源的输入端连接供电信号端Vsupply，输出端与第一开关的第一端相连，第一开关的第二端与CV环路控制模块的第一输入端以及第二开关的第一端相连并接至芯片管脚FB，第一开关的控制端与逻辑非门的输入端相连，第二开关的第二端与可控电流源输入端相连，第二开关的控制端与逻辑非门的输出端相连，可控电流源的第一控制端与CV环路控制模块的第一输出端相连，可控电流源第二控制端与输入电压检测模块的输出端相连，可控电流源输出端连接至电源地，CV环路控制模块第二输入端连接至芯片管脚CS，CV环路控制模块的第二输出端连接驱动模块的输入端。用于极小待机输入功耗或极高输出恒压精度的场合。

公开(公告)号：CN107070236A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710223574.9

申请日：2017-04-07

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  赵倡申 ,  刘文亮 ,  陶平

IPC: H02M3/335 ,  H02H7/12

CPC classification number: H02M3/33553 ,  H02H7/12 ,  H02M1/32 ,  H02M3/24 ,  H02M3/33523 ,  H02M3/33592 ,  H02M2001/342 ,  H02M3/335 ,  H02H7/1213

Abstract: 一种开关电源，所述开关电源包括：输出端口；变压器；第一分压电路，对反馈电压分压，得到第一分压电压，反馈电压与输出电压相关联；原边控制器，控制变压器原边绕组的电流，其反馈端口接入第一分压电压，其电源端口接入电源电压；原边控制器包括：第一比较模块，将第一分压电压与第一参考电压比较，得到第一比较结果；第二比较模块，将电源电压与第二参考电压比较，得到第二比较结果；断路保护模块，在第一比较结果指示第一分压电压低于第一参考电压且第二比较结果指示电源电压高于第二参考电压时产生断路保护信号，原边控制器响应于断路保护信号停止对原边绕组的控制。本发明方案可有效检测开关电源上采样电阻断路并提供断路保护。

公开(公告)号：CN102306662B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201110281585.5

申请日：2011-09-21

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  陶平 ,  张立新

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696

Abstract: 本发明提供一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构，包括兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的背面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的正面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层的正面设有P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列；终端结构的一部分硅表面区域之上设有连续二氧化硅层，终端结构的其余部分硅表面之上设有可动离子阻断结构，可动离子阻断结构为若干个间距排列的局部二氧化硅层。终端结构中设有可动离子阻断结构，能够有效防止可动离子的移动，提高器件抗可动离子玷污的能力。

公开(公告)号：CN101853785B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200910185324.6

申请日：2009-11-05

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  杨东林 ,  陶平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

Abstract: 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，包括N型掺杂类型半导体衬底，在衬底上设有N型外延层，在外延层中设有高浓度P型半导体区，在高浓度P型半导体区中设有氧化填充物，在外延层的顶部设有P型半导体区，在此P型半导体区中设有N型源区，该器件的高浓度P型半导体区是通过在深槽刻蚀后，向深槽中注入气态氧化硼，气态氧化硼和侧壁及底部的硅反应生成硼和二氧化硅，经过的热退火推阱工艺后形成。该种制备方法工艺简单，成本低，制造出来的器件的可靠性高。

公开(公告)号：CN101692435B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910036002.5

申请日：2009-10-15

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  刘侠

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种绝缘体上硅的深槽隔离结构刻蚀及填充方法，包括在半导体衬底上面设置埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层单晶硅，具体工艺技术步骤如下：(1)采用离子反应刻蚀工艺，刻蚀出比目标槽宽大20％的深槽；(2)低压化学气相淀积N型重掺单晶硅；(3)采用离子反应刻蚀工艺在N型重掺单晶硅内刻蚀出深槽结构；(4)湿氧法热生在隔离氧化层，隔离氧化层的厚度取决于隔离性能的要求；(5)淀积多晶硅，使整个槽内完全被填充。本发明的绝缘体上硅深槽工艺技术通过在深槽结构隔离氧化层和绝缘体上硅硅膜间引入界面电荷，提高了有源区和槽区之间的横向击穿电压；同时在保证同样的击穿电压条件下，可以缩小有源区和槽区之间的最小间距，提高集成密度。

公开(公告)号：CN101814436A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910185330.1

申请日：2009-11-05

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  刘侠 ,  陶平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，该器件的漂移区是P型半导体区和N型半导体区交替排列的形式，漂移区中的P型半导体是通过深槽刻蚀工艺后，向深槽内填充硼磷硅玻璃，然后经过将表面的硼磷硅玻璃刻蚀除去，接着经过退火工艺使硼磷硅玻璃中的硼杂质和磷杂质扩散到深槽侧壁及底部的硅中，由于硼磷硅玻璃中的硼杂质含量远远高于磷杂质含量，因此，使得深槽侧壁及底部的这部分半导体区域变为P型掺杂半导体区。这种方法工艺可控性高、工艺成本低，制作出来的器件的性能高。