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公开(公告)号：CN105097903B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN200910212769.9
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端第二鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN101853785B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910185324.6
申请日：2009-11-05
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，包括N型掺杂类型半导体衬底，在衬底上设有N型外延层，在外延层中设有高浓度P型半导体区，在高浓度P型半导体区中设有氧化填充物，在外延层的顶部设有P型半导体区，在此P型半导体区中设有N型源区，该器件的高浓度P型半导体区是通过在深槽刻蚀后，向深槽中注入气态氧化硼，气态氧化硼和侧壁及底部的硅反应生成硼和二氧化硅，经过的热退火推阱工艺后形成。该种制备方法工艺简单，成本低，制造出来的器件的可靠性高。
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公开(公告)号：CN101764157A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910212767.X
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件采用了二阶场氧化层和二阶场板结构，且二阶场氧化层是通过先淀积氧化层，然后刻蚀氧化层，最后经过热生长工艺形成的，这样能最大限度的抑制工艺中所说的“吃硅”现象和减小漂移区表面浓度的改变。
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公开(公告)号：CN101764151A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910212765.0
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
CPC classification number: H01L29/87 , H01L29/1016
Abstract: 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，形成于一器件上，所述器件包括包含P型衬底，在P型衬底上设有N型掩埋层，在N型掩埋层上设有N型阱，在P型衬底上还设有与N型阱平行的P型阱。在N型阱中设有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区，第一N+掺杂区和第一P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阳极，在P型阱中设有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区和第二P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阴极。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区，N型阱区域，P型阱区域，P型阱中的N+掺杂区构成，它通过P型衬底和N型阱之间的掩埋层来增加维持状态下的N阱电阻，从而增加了维持电压。
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公开(公告)号：CN104282740B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN200910212770.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097903A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200910212769.9
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN104282740A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200910212770.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/36 , H01L29/402
Abstract: 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN101692434B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910036001.0
申请日：2009-10-15
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种绝缘体上硅深槽隔离结构的介质填充方法，包括位于在半导体衬底上面设置的埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层硅，在N型顶层硅表面刻蚀出深槽的形貌，深槽的填充步骤如下：在刻蚀顶层硅后通过干氧法生长第一层氧化层；在由干氧法生长第一层氧化层的侧壁上淀积第一层多晶硅；在纯多晶硅的表面进行湿氧法热生长第二层氧化层；最后在由湿氧法热生长第二层氧化层的侧壁上淀积第二层多晶硅。本发明的填充方法通过在由干氧法生长的第一层氧化层侧壁上淀积第一层纯多晶硅，一方面填充了深槽底部的横向过刻蚀的凹陷区，另一方面提高了深槽底部隔离氧化层的生长速率，从而保证了隔离氧化层厚度的均匀性，提高绝缘体上硅深槽隔离能力。
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公开(公告)号：CN101764157B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910212767.X
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件采用了二阶场氧化层和二阶场板结构，且二阶场氧化层是通过先淀积氧化层，然后刻蚀氧化层，最后经过热生长工艺形成的，这样能最大限度的抑制工艺中所说的“吃硅”现象和减小漂移区表面浓度的改变。
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公开(公告)号：CN101692434A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910036001.0
申请日：2009-10-15
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种绝缘体上硅深槽隔离结构的介质填充方法，包括位于在半导体衬底上面设置的埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层硅，在N型顶层硅表面刻蚀出深槽的形貌，深槽的填充步骤如下：在刻蚀顶层硅后通过干氧法生长第一层氧化层；在由干氧法生长第一层氧化层的侧壁上淀积第一层多晶硅；在纯多晶硅的表面进行湿氧法热生长第二层氧化层；最后在由湿氧法热生长第二层氧化层的侧壁上淀积第二层多晶硅。本发明的填充方法通过在由干氧法生长的第一层氧化层侧壁上淀积第一层纯多晶硅，一方面填充了深槽底部的横向过刻蚀的凹陷区，另一方面提高了深槽底部隔离氧化层的生长速率，从而保证了隔离氧化层厚度的均匀性，提高绝缘体上硅深槽隔离能力。
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