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公开(公告)号：CN101840933B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010146489.5
申请日：2010-04-13
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N型掺杂半导体衬底上面设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层的内部设有P型掺杂深阱区，在所述P型掺杂深阱区的上侧设有P型掺杂区和P型掺杂缓冲区，在所述P型掺杂区中设有高浓度的N型掺杂区，在部分栅氧化层的上方设有多晶硅，多晶硅在终端结构区域构成了多晶硅场板结构，并且与该带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管中源端延伸到过渡区的金属场板，共同构成双层场板，其能够降低表面电场峰值，优化表面电势分布，有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN101764150A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910212763.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/316 , H01L21/265
Abstract: 一种高压绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的工艺制造方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板是二阶场板。二阶场氧化层的形成是用先淀积氧化层，经过刻蚀和热生长形成的。N型掺杂缓冲区是通过二阶场氧化层自对准用高能离子注入形成的。
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公开(公告)号：CN101901830A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910212766.5
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。
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公开(公告)号：CN101714552A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910212764.6
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。
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公开(公告)号：CN101699625A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910233694.2
申请日：2009-10-28
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
CPC classification number: H01L29/87
Abstract: 一种高触发电流的SCR ESD防护器件，包括P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上分别设置有N型掺杂阱和P型掺杂阱，在N型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在P型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在N型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有阳极金属层和金属层，而在P型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有金属层和阴极金属层，且阳极金属层和金属层之间通过由P型掺杂半导体区和N型掺杂半导体区构成的二极管连接，而金属层和阴极金属层之间直接用金属连接。本发明可以有效地提高器件的触发电流，适用于高压集成电路的ESD保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101697355A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910233695.7
申请日：2009-10-28
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
CPC classification number: H01L29/87
Abstract: 一种静电放电防护电路中用的均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面分别设置有相邻的N型阱和P型阱，在N型阱中设有低浓度N型半导体区和P型半导体区，在低浓度N型半导体区、P型半导体区、N型半导体区和P型半导体区以外的区域设有场氧化层，在N型半导体区和P型掺杂半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在N型掺杂半导体区和P型半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极。在P型阱和N型阱交界处的场氧化层的下表面处设有高浓度P型场注入层，在N型阱中设有低浓度N型半导体区。其能够获得较低触发电压，并且有利于均匀触发的横向硅控整流器。
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公开(公告)号：CN104282740B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN200910212770.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN105097903A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200910212769.9
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN104282740A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200910212770.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/36 , H01L29/402
Abstract: 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN102386185A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010265799.9
申请日：2010-08-30
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8236 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种高低压集成的工艺器件及其制备方法，包括低压增强型、耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管，高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型重掺杂衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的N型耐压区，最后在P型掺杂阱和N型耐压区上进行源漏注入。本发明所述工艺器件结构基于外延材料集成纵向功率器件，工艺集成度和可靠性高。
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