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公开(公告)号：CN103219898B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310112448.8
申请日：2013-04-02
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
CPC classification number: G05F1/462 , H03K17/082
Abstract: 本发明涉及具有电流采样和启动结构的半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电阻，第一晶体管的漏端连接第二晶体管的漏端、第三晶体管的漏端和所述电阻的一端，第一晶体管的源端接地，所述第一晶体管的栅端连接第二晶体管的栅端，电阻的另一端连接所述第三晶体管的栅端，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均为高压晶体管，所述电阻通过在第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的耐压区上、或者第一晶体管的耐压区上、或者第三晶体管的耐压区上绕制而成。通过将高压启动结构、电流采样结构与功率开关集成在一起，降低电路启动的损耗和功率管电流采样损耗。
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公开(公告)号：CN102709324B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210183438.9
申请日：2012-06-06
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , G09G3/28 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管。双向P型开关管因为具有两个左右对称的漂移区和较薄的场氧作为栅氧化层，所以该开关管可以实现高效率耐高压双向传输。低功耗高压驱动电路采用在传统高压驱动电路的输出端加了一个本发明的双向P型开关管，并在系统应用时外接一个电容C。通过双向P型开关管的开启，使传统高压驱动电路对外接电容C充电，再由充完电的电容C对高压驱动电路放电，使其工作，从而减少了整个电路的能量损耗。本发明与现有技术相比，有效的提高了整个电路的能量恢复效率，同时减少了整个电路的能量损耗。
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公开(公告)号：CN102013877A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010549557.2
申请日：2010-11-18
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
Abstract: 本发明公开了一种减小补偿电容的跨导放大器，包括：第一级放大电路，采样电路、第二级放大电路和偏置生成电路。实现步骤：输入反馈信号和参考电压相比较，输出误差信号，通过第一级放大电路放大后输入到采样电路，提供采样电路的充电电流；偏置产生电路提供采样电路放电支路及第二级放大电路的参考信号；采样电路中，开关信号控制采样开关；采样输出信号与所述参考信号比较，再经过第二级放大电路放大，输出充电电流周期性对补偿电容充电。本发明电路，通过调节所述采样电路中开关信号的占空比，可灵活改变跨导放大器输出电压上升至期望值的时间；可有效减小补偿电容值，减小了芯片面积，降低了芯片成本。
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公开(公告)号：CN102013877B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010549557.2
申请日：2010-11-18
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
Abstract: 本发明公开了一种减小补偿电容的跨导放大器，包括：第一级放大电路，采样电路、第二级放大电路和偏置生成电路。实现步骤：输入反馈信号和参考电压相比较，输出误差信号，通过第一级放大电路放大后输入到采样电路，提供采样电路的充电电流；偏置产生电路提供采样电路放电支路及第二级放大电路的参考信号；采样电路中，开关信号控制采样开关；采样输出信号与所述参考信号比较，再经过第二级放大电路放大，输出充电电流周期性对补偿电容充电。本发明电路，通过调节所述采样电路中开关信号的占空比，可灵活改变跨导放大器输出电压上升至期望值的时间；可有效减小补偿电容值，减小了芯片面积，降低了芯片成本。
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公开(公告)号：CN102709324A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210183438.9
申请日：2012-06-06
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , G09G3/28 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管。双向P型开关管因为具有两个左右对称的漂移区和较薄的场氧作为栅氧化层，所以该开关管可以实现高效率耐高压双向传输。低功耗高压驱动电路采用在传统高压驱动电路的输出端加了一个本发明的双向P型开关管，并在系统应用时外接一个电容C。通过双向P型开关管的开启，使传统高压驱动电路对外接电容C充电，再由充完电的电容C对高压驱动电路放电，使其工作，从而减少了整个电路的能量损耗。本发明与现有技术相比，有效的提高了整个电路的能量恢复效率，同时减少了整个电路的能量损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102573249A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010599323.9
申请日：2010-12-21
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H05B41/295
CPC classification number: Y02B20/19
Abstract: 本发明公开了一种压控频率扫描振荡器，包括：振荡器、扫频控制器和偏置基准。偏置基准为振荡器和扫频控制器提供偏置电压Va、Vb、Vc。Vc信号对扫频控制器充电，产生VSW信号。当VSW信号小于Vb信号时，振荡器频率通过Va和Vb信号产生，频率保持恒定。当VSW信号大于Vb信号时，振荡器频率通过Va，VSW信号产生。VSW信号随时间可变，频率随VSW信号变化。当VSW信号达到Vc信号后，频率停止变化。本发明电路具有实现方法新颖，电路结构简单的优点，减小了芯片面积，降低了芯片成本，其模块功耗低、性能稳定，适用于CFL驱动芯片。
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公开(公告)号：CN102306662B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110281585.5
申请日：2011-09-21
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0696
Abstract: 本发明提供一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构，包括兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的背面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的正面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层的正面设有P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列；终端结构的一部分硅表面区域之上设有连续二氧化硅层，终端结构的其余部分硅表面之上设有可动离子阻断结构，可动离子阻断结构为若干个间距排列的局部二氧化硅层。终端结构中设有可动离子阻断结构，能够有效防止可动离子的移动，提高器件抗可动离子玷污的能力。
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公开(公告)号：CN102548168B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201010599333.2
申请日：2010-12-21
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H05B41/295 , H05B41/36
Abstract: 本发明公开了一种扫频点火检测与控制的方法及实现电路，包括：锁存器、可调振荡器、反相器、N沟道MOSFET以及电阻R1和电容C3、C4。电容C3电阻R1组成的电路采样点火期的OUT端信号。采样信号传输到反相器，锁存器。锁存器控制电容C4的充放电。电容C4电压信号的大小控制可调振荡器的频率变化。本发明电路基于一种新的扫频点火方式，可以精确地检测和控制点火电压，延长荧光灯的寿命，本发明具有实现方法新颖，电路简单，工艺要求低，易集成等优点。
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公开(公告)号：CN103219898A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310112448.8
申请日：2013-04-02
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
CPC classification number: G05F1/462 , H03K17/082
Abstract: 本发明涉及具有电流采样和启动结构的半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电阻，第一晶体管的漏端连接第二晶体管的漏端、第三晶体管的漏端和所述电阻的一端，第一晶体管的源端接地，所述第一晶体管的栅端连接第二晶体管的栅端，电阻的另一端连接所述第三晶体管的栅端，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均为高压晶体管，所述电阻通过在第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的耐压区上、或者第一晶体管的耐压区上、或者第三晶体管的耐压区上绕制而成。通过将高压启动结构、电流采样结构与功率开关集成在一起，降低电路启动的损耗和功率管电流采样损耗。
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公开(公告)号：CN102548168A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010599333.2
申请日：2010-12-21
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H05B41/295 , H05B41/36
Abstract: 本发明公开了一种扫频点火检测与控制的方法及实现电路，包括：锁存器、可调振荡器、反向器、N沟道MOSFET以及电阻R1和电容C3、C4。电容C3电阻R1组成的电路采样点火期的OUT端信号。采样信号传输到反向器，锁存器。锁存器控制电容C4的充放电。电容C4电压信号的大小控制可调振荡器的频率变化。本发明电路基于一种新的扫频点火方式，可以精确地检测和控制点火电压，延长荧光灯的寿命，本发明具有实现方法新颖，电路简单，工艺要求低，易集成等优点。
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