公开(公告)号：CN103426880A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310191040.4

申请日：2013-05-22

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 李海松 ,  王钦 ,  易扬波

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开了本发明公开了一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法，所述器件由低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管、低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管的体区和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的耐压区，最后进行源漏注入。本发明所述工艺器件结构基于外延材料集成纵向功率器件，工艺集成度高，电路设计简单，电路功耗低。

公开(公告)号：CN101593774B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910032304.5

申请日：2009-06-10

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  杨东林 ,  陶平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，N阱表面设栅氧化层，N阱表面的P型源区、N型接触区和栅氧化层以外区域及P型掺杂半导体区表面的P型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅，场氧化层、N型接触区、P型源区、多晶硅栅及P型漏区的表面设氧化层，P型源区、N型接触区、多晶硅栅和P型漏区上连金属层，在N阱和P型漏区之间的P型掺杂半导体区上表面设上槽区，在P型掺杂半导体区和埋氧化层的接触部位设下槽区。该结构能大大提高器件的耐压性，显著降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN102299173A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110255268.6

申请日：2011-09-01

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 李海松 ,  王钦 ,  陶平 ,  陈文高 ,  易扬波

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，P型重掺杂半导体接触区呈现“十”字形状，且“十”字形状的P型重掺杂半导体接触区将N型重掺杂半导体源区分割形成四块互不连通的块体。该结构可以在不影响器件导通电阻性能且不增加工艺制造步骤和困难度的基础上，减少寄生三极管开启的可能性，从而提高器件的雪崩耐量，进一步保证了器件工作在恶劣条件下的可靠性。

公开(公告)号：CN101692454B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910036003.X

申请日：2009-10-15

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  陈文高

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

Abstract: 一种用于绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设置由左氧化层、右氧化层以及左氧化层、右氧化层之间的多晶硅层构成的隔离深槽，在隔离深槽左右两边均是普通结构的绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，在深槽右侧的晶体管的N型接触区和深槽中间的多晶硅层之间通过表面的一层多晶硅进行连接，且深槽的右氧化层与深槽右侧的晶体管的N型接触区紧贴着，这种隔离槽结构不但可以有效防止深槽右侧的绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管在击穿条件下的烧毁，而且可以有效减少芯片面积，提高集成度。

公开(公告)号：CN101599507B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910032305.X

申请日：2009-06-10

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  杨东林 ,  陶平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，在衬底上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂半导体区，N型掺杂半导体区上设P阱和N型漏区，P阱上设N型源区和P型接触区，P阱表面设栅氧化层，P阱表面的N型源区、P型接触区和栅氧化层以外区域及N型掺杂半导体区表面的N型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅，场氧化层、P型接触区、N型源区、多晶硅栅及N型漏区的表面设氧化层，N型源区、P型接触区、多晶硅栅和N型漏区上连金属层，在P阱和N型漏区之间的N型掺杂半导体区上表面设上槽区，在N型掺杂半导体区和埋氧化层的接触部位设下槽区。本发明结构能有效提高器件的耐压，降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN101901830A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910212766.5

申请日：2009-11-09

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 李海松 ,  王钦 ,  杨东林 ,  刘侠 ,  朱奎英 ,  刘斯扬 ,  易扬波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08

Abstract: 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。

公开(公告)号：CN101853785A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910185324.6

申请日：2009-11-05

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  杨东林 ,  陶平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

Abstract: 一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，包括N型掺杂类型半导体衬底，在衬底上设有N型外延层，在外延层中设有高浓度P型半导体区，在高浓度P型半导体区中设有氧化填充物，在外延层的顶部设有P型半导体区，在此P型半导体区中设有N型源区，该器件的高浓度P型半导体区是通过在深槽刻蚀后，向深槽中注入气态氧化硼，气态氧化硼和侧壁及底部的硅反应生成硼和二氧化硅，经过的热退火推阱工艺后形成。该种制备方法工艺简单，成本低，制造出来的器件的可靠性高。

公开(公告)号：CN101714552A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910212764.6

申请日：2009-11-09

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 易扬波 ,  李海松 ,  王钦 ,  刘侠 ,  陈文高

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  G09G3/28

Abstract: 本发明提供一种等离子显示驱动芯片用高低压器件及制备方法，所述器件由高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、高压二极管和低压器件构成；所述制备方法为：在P型衬底上制作埋氧层，淀积P型外延层，制作高压器件的高压N阱和高压P阱，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管和高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的P型体区，各低压阱。本发明所述芯片结构具有芯片功耗低，芯片面积小，可靠性高的优点，而且能够兼容标准低压互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造工艺。

公开(公告)号：CN101699625A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910233694.2

申请日：2009-10-28

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 李海松 ,  刘侠 ,  王钦 ,  杨东林 ,  陈文高 ,  易扬波

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 一种高触发电流的SCR ESD防护器件，包括P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上分别设置有N型掺杂阱和P型掺杂阱，在N型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在P型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在N型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有阳极金属层和金属层，而在P型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有金属层和阴极金属层，且阳极金属层和金属层之间通过由P型掺杂半导体区和N型掺杂半导体区构成的二极管连接，而金属层和阴极金属层之间直接用金属连接。本发明可以有效地提高器件的触发电流，适用于高压集成电路的ESD保护。

公开(公告)号：CN101697355A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910233695.7

申请日：2009-10-28

Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司

Inventor： 王钦 ,  李海松 ,  刘侠 ,  杨东林 ,  易扬波 ,  陈文高

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 一种静电放电防护电路中用的均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面分别设置有相邻的N型阱和P型阱，在N型阱中设有低浓度N型半导体区和P型半导体区，在低浓度N型半导体区、P型半导体区、N型半导体区和P型半导体区以外的区域设有场氧化层，在N型半导体区和P型掺杂半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在N型掺杂半导体区和P型半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极。在P型阱和N型阱交界处的场氧化层的下表面处设有高浓度P型场注入层，在N型阱中设有低浓度N型半导体区。其能够获得较低触发电压，并且有利于均匀触发的横向硅控整流器。