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公开(公告)号：CN105097903B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN200910212769.9
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端第二鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于两层台阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN101901830A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910212766.5
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。
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公开(公告)号：CN102761241A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110107249.9
申请日：2011-04-28
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明公开了一种低电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级，缓冲级、高压输出级以及信号产生电路，第一、第二控制信号接电平转换级，电平转换级的输出和第三控制信号接缓冲级的输入端，上述缓冲级的输出、信号产生电路的输出和第四、第五控制信号接包含有抗电磁干扰模块的高压输出级。信号产生电路也包含电平转换级和缓冲级，第六、第七控制信号接信号产生电路中的电平转换级，电平转换级的输出和第八控制信号接信号产生电路中缓冲级的输入端，缓冲级的输出即为信号产生电路的输出。该低电磁干扰低功耗高压驱动电路，能够在不增加版图面积的前提下，用简单结构实现减小电磁干扰、降低芯片功耗的功能。
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公开(公告)号：CN101901830B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910212766.5
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。
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公开(公告)号：CN105097903A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200910212769.9
申请日：2009-11-09
Applicant: 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，在N型漂移区中设有较高浓度的N型掺杂半导体区，这个较高浓度的N型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区域，其浓度高于N型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
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