-
公开(公告)号：CN100525040C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710133994.4
申请日：2007-10-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出了应用于开关电源电路中的一种开关电源输出电压的采样反馈电路，其采用分离元件构成，结构简单，系统稳定性强，成本低。本发明包括电压采样电路、误差放大电路、隔离转换电路，开关电源的输出电压Vo通过电压采样电路的电压信号输入端输入，进行分压得到采样信号，且电压输入信号Vo同时作为误差放大电路的供电，采样信号通过误差放大电路的采样信号输入端输入，转换为电流型误差信号输出到隔离转换电路的误差电流信号输入端，进行电气隔离得到反馈输出信号Vfb。
-
公开(公告)号：CN101510561B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910030066.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括N型柱和P型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层，在N型薄层上设有场氧化层，其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101488524A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910024952.6
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/316 , H01L21/762
Abstract: 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
-
公开(公告)号：CN101488524B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910024952.6
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/316 , H01L21/762
Abstract: 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
-
公开(公告)号：CN101510561A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910030066.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括N型柱和P型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层，在N型薄层上设有场氧化层，其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。
-
公开(公告)号：CN101162869A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710133994.4
申请日：2007-10-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出了应用于开关电源电路中的一种开关电源输出电压的采样反馈电路，其采用分离元件构成，结构简单，系统稳定性强，成本低。本发明包括电压采样电路、误差放大电路、隔离转换电路，开关电源的输出电压Vo通过电压采样电路的电压信号输入端输入，进行分压得到采样信号，且电压输入信号Vo同时作为误差放大电路的供电，采样信号通过误差放大电路的采样信号输入端输入，转换为电流型误差信号输出到隔离转换电路的误差电流信号输入端，进行电气隔离得到反馈输出信号Vfb。
-
公开(公告)号：CN201038163Y
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200720035523.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有N型区，在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及P型源区的上方覆有二氧化硅，在P型源区及N型接触孔上连接有铝引线。本发明的沟槽高压P型金属氧化物半导体管是一种纵向沟道垂直导电金属氧化物半导体型高压器件，它巧妙利用体内耗尽层分压的方法，改善了器件特性。该器件的优势在更大工作电压领域将得到更大的体现。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.021 seconds)
