公开(公告)号：CN102184933A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110090742.4

申请日：2011-04-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 田婷 ,  孙晓红 ,  陈涛 ,  胡善文 ,  高怀

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/08 ,  H03H9/42

Abstract: 本发明公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。本发明提供一种材料位错密度小，有利于声表面波传播的自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线。

公开(公告)号：CN101488524B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910024952.6

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  高怀 ,  刘侠 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762

Abstract: 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。

公开(公告)号：CN101488526A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910024963.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  高怀 ,  吴虹 ,  李海松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762

Abstract: 一种N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是N型的掺杂半导体漂移区，P阱区设置在N型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，N型源区和P型接触区设置在P阱中，其特征是：该器件还包括至少一层浮置氧化层结构，它位于漏区与埋置氧化层结构之间的N型掺杂半导体漂移区内，而且，允许有多层浮置氧化层结构，以进一步优化漏区纵向电场的分布，从而提高器件整体的击穿电压。

公开(公告)号：CN101488524A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910024952.6

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  高怀 ,  刘侠 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762

Abstract: 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。

公开(公告)号：CN202111669U

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201120105333.2

申请日：2011-04-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 田婷 ,  孙晓红 ,  陈涛 ,  胡善文 ,  高怀

IPC: H03H9/42

Abstract: 本实用新型公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层，所述氮化镓层上设有第二氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层、氮化镓层、第二氮化镓铝势垒层以及缓冲层的四边被刻蚀掉以形成ACT电荷输运沟道，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述第二氮化镓铝势垒层两端有电极。本实用新型提供一种材料位错密度小，有利于声表面波传播的自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线。