公开(公告)号：CN101026190A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710021129.0

申请日：2007-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  吴虹 ,  戈喆 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种沟槽高压N型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的N型漏区，在N型漏区上设有N型外延，在N型外延上设有P型阱，在P型阱上设有N型源区和P型接触孔，在P型阱及N型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与P型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有P型区，在多晶硅栅与P型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及N型源区的上方覆有二氧化硅，在N型源区及P型接触孔上连接有铝引线。其制备是在N型硅片上制备一层N型外延，在其上形成P型区，此后，淀积二氧化硅填满沟槽，再反刻出沟槽，生长栅氧化层，刻蚀出栅区，形成器件源区，再制备衬底接触区，最后刻孔并制备金属铝引线。

公开(公告)号：CN201038163Y

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200720035523.5

申请日：2007-03-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  刘侠 ,  戈喆 ,  易扬波 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有N型区，在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及P型源区的上方覆有二氧化硅，在P型源区及N型接触孔上连接有铝引线。本发明的沟槽高压P型金属氧化物半导体管是一种纵向沟道垂直导电金属氧化物半导体型高压器件，它巧妙利用体内耗尽层分压的方法，改善了器件特性。该器件的优势在更大工作电压领域将得到更大的体现。