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公开(公告)号：CN101510561A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910030066.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括N型柱和P型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层，在N型薄层上设有场氧化层，其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。
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公开(公告)号：CN102637405A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210106486.8
申请日：2012-04-12
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/288
Abstract: 一种抑制等离子体显示器行扫描芯片浪涌电压的方法，行扫描芯片内设有上拉MOS管与下拉MOS管，对上拉MOS管与下拉MOS管设置第一控制信号OC1和第二控制信号OC2，通过修改第一控制信号OC1和第二控制信号OC2的输出电平状态，将一段期间的行扫描芯片的状态全部修改为全低，实现对浪涌电压的抑制。本发明结合等离子体显示器实际系统，不需要复杂的电路，只需在特定时间段内，通过控制信号修改行扫描芯片的状态，即可实现对浪涌电流的抑制，并保证等离子体显示器的正常工作，没有复杂的电路结构，成本低。
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公开(公告)号：CN101872786A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010198507.4
申请日：2010-06-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设有漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层，且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后，采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层，再进行其它常规操作。
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公开(公告)号：CN101488525A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910024962.X
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是P型的掺杂半导体漂移区，N阱区设置在P型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，P型源区和N型接触区设置在N阱中，其特征是：该器件还包括至少一层浮置氧化层结构，它位于漏区与埋置氧化层结构之间的P型掺杂半导体漂移区内，而且，允许有多层浮置氧化层结构，以进一步优化漏区纵向电场的分布，从而提高器件整体的击穿电压。
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公开(公告)号：CN102097481B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010602345.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872786B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010198507.4
申请日：2010-06-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设有漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层，且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后，采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层，再进行其它常规操作。
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公开(公告)号：CN102097481A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010602345.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。
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公开(公告)号：CN101510561B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910030066.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述晶体管的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括N型柱和P型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有横向P型柱和高浓度N型区域，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区的表面设有一层高浓度的N型薄层，在N型薄层上设有场氧化层，其特征在于在N型硅掺杂半导体区内设有横向P型柱以及在晶体管终端区域的表面设有一层高浓度的N型薄层。
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公开(公告)号：CN100539420C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710135583.9
申请日：2007-11-13
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0185 , G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/28
Abstract: 一种CMOS型差分接口电路，差分输入级连含有4个PMOS管，分别是M3、M4、M5和M6；5个NMOS管，分别是M1、M2、M7、M8和M9；共同构成NMOSFET输入CMOS差分初级放大电路，其中，M1和M2是一对NMOS管，构成差分对管；M3与M5、M4与M6以及M7与M8是双比例镜像电流源做M1和M2的负载；M7和M8这对电流镜同时将双端输出转为单端输出，M9提供差分电路工作所需的直流电流即尾电流；初级放大电路之后级连含有1个PMOS管Mb和1个NMOS管Ma的次级放大电路，其中，Ma是放大管，Mb是Ma的负载管，该负载管的栅极电平与地GND相连；次级放大电路之后级连含有两个导向器的缓冲输出。
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公开(公告)号：CN101159432A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710135583.9
申请日：2007-11-13
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0185 , G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/28
Abstract: 一种CMOS型差分接口电路，差分输入级连含有4个PMOS管，分别是M3、M4、M5和M6；5个NMOS管，分别是M1、M2、M7、M8和M9；共同构成NMOSFET输入CMOS差分初级放大电路，其中，M1和M2是一对NMOS管，构成差分对管；M3与M5、M4与M6以及M7与M8是双比例镜像电流源做M1和M2的负载；M7和M8这对电流镜同时将双端输出转为单端输出，M9提供差分电路工作所需的直流电流即尾电流；初级放大电路之后级连含有1个PMOS管Mb和1个NMOS管Ma的次级放大电路，其中，Ma是放大管，Mb是Ma的负载管，该负载管的栅极电平与地GND相连；次级放大电路之后级连含有两个导向器的缓冲输出。
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