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公开(公告)号：CN109952816A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780063567.5
申请日：2017-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东京计器株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的一实施方式的微波输出装置中，从方向性耦合器输出自微波产生部传播至输出部的行进波的一部分。在第1测定部中，利用二极管检波产生与行进波的一部分的功率对应的模拟信号，将该模拟信号转换为数字值。并且，选择与对微波输出装置中被指定的微波的设定频率及设定功率建立对应的一个以上的校正系数。通过将所选择的一个以上的校正系数与数字值相乘来确定测定值。
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公开(公告)号：CN109952816B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201780063567.5
申请日：2017-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东京计器株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的一实施方式的微波输出装置中，从方向性耦合器输出自微波产生部传播至输出部的行进波的一部分。在第1测定部中，利用二极管检波产生与行进波的一部分的功率对应的模拟信号，将该模拟信号转换为数字值。并且，选择与对微波输出装置中被指定的微波的设定频率及设定功率建立对应的一个以上的校正系数。通过将所选择的一个以上的校正系数与数字值相乘来确定测定值。
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公开(公告)号：CN109121276A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810642400.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明提供一种天线及等离子体处理装置。本发明的天线具备电介质窗及设置于电介质窗的一个面的缝隙板，该天线中，将缝隙板上各缝隙(S)的宽度方向的中央位置并且长度方向的中央位置作为基准位置(g)时，各缝隙(S)的基准位置(g)位于以重心(G0)为中心的虚拟圆上，连结各缝隙(S)的基准位置(g)与这些缝隙所属的虚拟点(G1)的线段从虚拟点(G1)以放射状存在，且相邻的这些线段之间的角度(β1～β4)相等，并且，基准位置(g)上的各缝隙(S)的长度方向与该缝隙(S)所属的上述线段所成的角度(θ1～θ4)相等。
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公开(公告)号：CN114914144A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210108834.9
申请日：2022-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法。本发明要解决的技术问题是在等离子体处理中恰当地控制相对于基片的等离子体分布。在等离子体处理装置中使用的基片支承器包括：基台；配置在基台上的陶瓷板，其具有基片支承区域和将基片支承区域包围的环部件支承区域；配置在基台和陶瓷板的周围的绝缘环状部件；固定边缘环，其具有内侧部分和外侧部分，内侧部分被支承在环部件支承区域上，外侧部分被支承在绝缘环状部件上，外侧部分具有第一宽度；可动边缘环，其配置在固定边缘环的外侧部分的上方，且具有比第一宽度小的第二宽度；和致动器，其能够使可动边缘环相对于固定边缘环在上下方向上移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109121276B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201810642400.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明提供一种天线及等离子体处理装置。本发明的天线具备电介质窗及设置于电介质窗的一个面的缝隙板，该天线中，将缝隙板上各缝隙(S)的宽度方向的中央位置并且长度方向的中央位置作为基准位置(g)时，各缝隙(S)的基准位置(g)位于以重心(G0)为中心的虚拟圆上，连结各缝隙(S)的基准位置(g)与这些缝隙所属的虚拟点(G1)的线段从虚拟点(G1)以放射状存在，且相邻的这些线段之间的角度(β1～β4)相等，并且，基准位置(g)上的各缝隙(S)的长度方向与该缝隙(S)所属的上述线段所成的角度(θ1～θ4)相等。
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公开(公告)号：CN109845411A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780063583.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的一实施方式的微波输出装置中，从方向性耦合器输出自微波产生部传播至输出部的行进波的一部分。在第1测定部中，利用二极管检波产生与行进波的一部分的功率对应的模拟信号，将该模拟信号转换为数字值。并且，选择与对微波输出装置中被指定的微波的设定频率、设定功率及设定带宽建立对应的一个以上的校正系数。通过将所选择的一个以上的校正系数与数字值相乘来确定测定值。
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公开(公告)号：CN119547187A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052649.5
申请日：2023-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、等离子体生成部、电磁铁单元和电源。基片支承部设置在腔室内。基片支承部包括第一区域和包围第一区域的第二区域，能够在第一区域上载置基片，能够在第二区域上载置边缘环。等离子体生成部构成为能够在腔室内生成等离子体。电磁铁单元包括至少一个电磁铁。电磁铁单元构成为能够形成在边缘环上的环状空间中局域化的磁场。电源与电磁铁单元的至少一个电磁铁电连接，构成为能够调节磁场强度。
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公开(公告)号：CN115458382A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210614564.9
申请日：2022-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及磁屏蔽件，其设置于所述侧壁部的外侧的周围，且在上侧具有开口，当令通过所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面的中心点且连结到所述开口的端点的线与所述内表面的角度为θ[°]，构成所述磁屏蔽件的磁性材料的初始相对磁导率μi与厚度t[m]之积μi×t为Pmc[m]时，角度θ[°]满足θ＞764×Pmc‑2+179×Pmc‑1+21.3。根据本发明，能够抑制外部磁场在等离子体处理装置中产生的影响。
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公开(公告)号：CN109845411B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780063583.4
申请日：2017-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的一实施方式的微波输出装置中，从方向性耦合器输出自微波产生部传播至输出部的行进波的一部分。在第1测定部中，利用二极管检波产生与行进波的一部分的功率对应的模拟信号，将该模拟信号转换为数字值。并且，选择与对微波输出装置中被指定的微波的设定频率、设定功率及设定带宽建立对应的一个以上的校正系数。通过将所选择的一个以上的校正系数与数字值相乘来确定测定值。
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