公开(公告)号：CN114914144A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210108834.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂直人 ,  高桥智之 ,  河田祐纪

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法。本发明要解决的技术问题是在等离子体处理中恰当地控制相对于基片的等离子体分布。在等离子体处理装置中使用的基片支承器包括：基台；配置在基台上的陶瓷板，其具有基片支承区域和将基片支承区域包围的环部件支承区域；配置在基台和陶瓷板的周围的绝缘环状部件；固定边缘环，其具有内侧部分和外侧部分，内侧部分被支承在环部件支承区域上，外侧部分被支承在绝缘环状部件上，外侧部分具有第一宽度；可动边缘环，其配置在固定边缘环的外侧部分的上方，且具有比第一宽度小的第二宽度；和致动器，其能够使可动边缘环相对于固定边缘环在上下方向上移动。

公开(公告)号：CN111048390A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910966976.7

申请日：2019-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂直人 ,  三原直辉 ,  汤村香子 ,  星屋旬祐

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种安装状态提示装置和安装状态提示方法。安装状态提示装置包括数据库、获取部、第一确定部、比较部和输出部。数据库对于处理装置所包含的多个部件，分别保存该部件的安装位置和朝向的信息。获取部获取由3D扫描仪取得的表示处理装置的外观的状态的第一外观数据。第一确定部基于第一外观数据，识别处理装置所包含的多个部件，对每个识别出的部件确定该部件的安装位置和朝向。比较部对每个识别出的部件，将该部件的安装位置和朝向与保存于数据库中的安装位置和朝向的信息进行比较。输出部输出比较部的比较结果。根据本发明，能够提高处理的吞吐量。

公开(公告)号：CN111048390B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201910966976.7

申请日：2019-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早坂直人 ,  三原直辉 ,  汤村香子 ,  星屋旬祐

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种安装状态提示装置和安装状态提示方法。安装状态提示装置包括数据库、获取部、第一确定部、比较部和输出部。数据库对于处理装置所包含的多个部件，分别保存该部件的安装位置和朝向的信息。获取部获取由3D扫描仪取得的表示处理装置的外观的状态的第一外观数据。第一确定部基于第一外观数据，识别处理装置所包含的多个部件，对每个识别出的部件确定该部件的安装位置和朝向。比较部对每个识别出的部件，将该部件的安装位置和朝向与保存于数据库中的安装位置和朝向的信息进行比较。输出部输出比较部的比较结果。根据本发明，能够提高处理的吞吐量。

公开(公告)号：CN115458382A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210614564.9

申请日：2022-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河田祐纪 ,  早坂直人

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及磁屏蔽件，其设置于所述侧壁部的外侧的周围，且在上侧具有开口，当令通过所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面的中心点且连结到所述开口的端点的线与所述内表面的角度为θ[°]，构成所述磁屏蔽件的磁性材料的初始相对磁导率μi与厚度t[m]之积μi×t为Pmc[m]时，角度θ[°]满足θ＞764×Pmc‑2+179×Pmc‑1+21.3。根据本发明，能够抑制外部磁场在等离子体处理装置中产生的影响。