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公开(公告)号：CN112103165B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN112420507A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010794270.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种处理基板的方法，其包括(a)向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有被图案化的有机掩模。该方法还包括(b)在将基板容纳于腔室内的状态下，在腔室内由处理气体生成等离子体的工序。该方法还包括(c)在生成等离子体的工序(即(b))的执行中，向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性的直流电压的工序。在施加脉冲状的负极性的直流电压的工序中，向上部电极供应源自等离子体的离子而将从上部电极释放的含硅物质沉积到基板上。
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公开(公告)号：CN105474368A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046269.1
申请日：2014-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/31144 , B82Y40/00 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01L21/0337 , H01L21/31138
Abstract: 提供对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法。该方法包括如下工序：在设置于被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序(a)；以由嵌段共聚物层形成包含第1聚合物的第1区域和包含第2聚合物的第2区域的方式对被处理体进行处理的工序(b)；在对被处理体进行处理的工序(b)之后，对第2区域和该第2区域的正下方的中间层进行蚀刻而形成掩模的工序(c)；在形成掩模的工序(c)之后，在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含四氯化硅气体和氧气的处理气体的等离子体，在掩模上形成保护膜的工序(d)；以及在形成保护膜的工序(d)之后，对被蚀刻层进行蚀刻的工序(e)。
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公开(公告)号：CN113471071A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110244018.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 一种蚀刻方法，包括:a工序，在腔室内的载置台上提供基板，基板具有包括第一含硅材料的第一区域以及包括第二含硅材料的第二区域；b工序，对第一区域进行蚀刻直至第二区域露出或者第二区域即将露出；c工序，通过使基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，在基板之上形成堆积物；d工序，使堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于第二区域选择性地对第一区域进行蚀刻；以及重复c工序和d工序的e工序，在c工序中，通过将第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。
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公开(公告)号：CN110085502A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910073186.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的技术问题为提供一种能够调节等离子体的状态的方法。解决方案为：在一实施方式的方法中，在腔室的内部空间中生成气体的等离子体。在等离子体的生成期间，增加由直流电源施加到电极的负极性的直流电压的绝对值。电极构成腔室的一部分或者设置于内部空间中。在负极性的直流电压的绝对值的增加期间确定第一电压值。第一电压值是在负极性的直流电压的绝对值的增加期间电流开始流过电极的该时刻该电极中的电压值。在等离子体的生成期间，将由直流电源施加到电极的直流电压的电压值设定为具有第一电压值与指定值之和的值的第二电压值。
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公开(公告)号：CN119092390A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411207915.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN111564355B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010081427.4
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
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公开(公告)号：CN111477531A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010041705.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。基板支撑器包含下部电极。下部电极设置于腔室内。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连接。直流电源装置构成为周期性产生脉冲状的负极性的直流电压。直流电源装置的输出电压可在负极性的直流电压与零伏之间交替切换。
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公开(公告)号：CN110085502B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910073186.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的技术问题为提供一种能够调节等离子体的状态的方法。解决方案为：在一实施方式的方法中，在腔室的内部空间中生成气体的等离子体。在等离子体的生成期间，增加由直流电源施加到电极的负极性的直流电压的绝对值。电极构成腔室的一部分或者设置于内部空间中。在负极性的直流电压的绝对值的增加期间确定第一电压值。第一电压值是在负极性的直流电压的绝对值的增加期间电流开始流过电极的该时刻该电极中的电压值。在等离子体的生成期间，将由直流电源施加到电极的直流电压的电压值设定为具有第一电压值与指定值之和的值的第二电压值。
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公开(公告)号：CN112103165A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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