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公开(公告)号：CN114429896A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111227980.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 青木裕介
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)以及工序c)。在工序a)中，通过向设置于基板吸附部的电极供给电压，来使基板吸附于基板吸附部的上表面。在工序b)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，切断向电极的电压供给，由此将电极设为浮置状态。在工序c)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，通过等离子体来对被吸附于基板吸附部的基板的表面实施预先决定的处理。
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公开(公告)号：CN112103165B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN112420507A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010794270.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种处理基板的方法，其包括(a)向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有被图案化的有机掩模。该方法还包括(b)在将基板容纳于腔室内的状态下，在腔室内由处理气体生成等离子体的工序。该方法还包括(c)在生成等离子体的工序(即(b))的执行中，向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性的直流电压的工序。在施加脉冲状的负极性的直流电压的工序中，向上部电极供应源自等离子体的离子而将从上部电极释放的含硅物质沉积到基板上。
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公开(公告)号：CN116072499A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211335516.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。本申请提供基板的等离子体处理装置中的清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。清洁方法具有(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下在腔室内生成等离子体的工序和(b)在生成(a)的等离子体的状态下向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。
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公开(公告)号：CN114664626A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111524451.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 青木裕介
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供能够抑制等离子体处理中的基片的过剩的带电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括腔室、基片吸附部、电压供给部和导电性部件。腔室利用在内部所生成的等离子体对配置于内部的基片进行处理。基片吸附部设置在腔室内，在内部具有电极，利用对该电极施加的电压吸附基片。导电性部件设置在腔室内。电压供给部对基片吸附部内的电极施加电压。电压供给部的基准电位的端子连接于导电性部件，电压供给部将以导电性部件的电位作为基准电位的电压施加于基片吸附部内的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093740A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110936739.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法,其高效地对基板进行除电。该基板处理方法包括:(a)将基板吸附于静电卡盘的工序；(b)对上述基板进行处理的工序；(c)基于事先存储于存储部中的表示基板处理时的静电卡盘的最大表面温度与基板的残留电荷量的相关关系的信息来决定除电温度,并且将上述静电卡盘的表面温度调整至上述除电温度以上的工序；以及(d)对上述基板进行除电的工序。
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公开(公告)号：CN112103165A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN111564355A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010081427.4
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
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公开(公告)号：CN119092390A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411207915.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN111564355B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010081427.4
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
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