公开(公告)号：CN102473670A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033137.7

申请日：2010-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野村正道 ,  小泉建次郎 ,  河西繁 ,  田中澄

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及一种处理装置，对被处理体实施规定的处理，其特征在于，包括：能排气的处理容器；配置在所述处理容器内、在上端侧支撑所述被处理体的由非磁性材料构成的旋转浮体；在所述旋转浮体上沿其周方向以规定间隔设置的由磁性材料构成的多个旋转XY用吸附体；在所述旋转浮体上沿其周方向设置的由磁性材料构成的环状的浮起用吸附体；设置在所述处理容器的外侧、在所述浮起用吸附体上向着垂直方向上方作用磁吸引力，调整所述旋转浮体的斜率并使其浮起的浮起用电磁铁组；设置在所述处理容器的外侧使磁吸引力作用在所述旋转XY用吸附体上、在水平方向进行所述浮起的所述旋转浮体的位置调整并使其旋转的旋转XY用电磁铁组；向所述处理容器内供给必要的气体的气体供给单元；对所述被处理体实施规定的处理的处理机构；和对装置整体的动作进行控制的装置控制部。

公开(公告)号：CN101681867A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018879.5

申请日：2008-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野村正道 ,  小泉建次郎 ,  河西繁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

Abstract: 本发明通过悬浮用电磁铁组件(F)的磁吸引力，使支撑被处理体(W)的旋转悬浮体(30)悬浮，通过位置用电磁铁组件(H)的磁吸引力控制旋转悬浮体(30)的水平方向位置，同时通过旋转电磁铁组件(R)的磁吸引力使旋转悬浮体(30)旋转。悬浮用电磁铁组件(F)使磁吸引力向垂直方向下方作用，以非接触地悬吊在处理容器(2)的内壁的方式，使旋转悬浮体(30)悬浮。

公开(公告)号：CN101681867B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880018879.5

申请日：2008-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野村正道 ,  小泉建次郎 ,  河西繁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

Abstract: 本发明通过悬浮用电磁铁组件(F)的磁吸引力，使支撑被处理体(W)的旋转悬浮体(30)悬浮，通过位置用电磁铁组件(H)的磁吸引力控制旋转悬浮体(30)的水平方向位置，同时通过旋转电磁铁组件(R)的磁吸引力使旋转悬浮体(30)旋转。悬浮用电磁铁组件(F)使磁吸引力向垂直方向下方作用，以非接触地悬吊在处理容器(2)的内壁的方式，使旋转悬浮体(30)悬浮。

公开(公告)号：CN101405842A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009418.7

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  宫下大幸 ,  米田昌刚 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  野村正道 ,  清水美和

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。

公开(公告)号：CN119452736A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380050533.8

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野村正道 ,  齐藤雄介 ,  平出圭介

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体处理方法，是使用了等离子体处理装置的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括以下工序：获取包含第一初始电力值、初始电力施加时间以及输出抑制比的参数；获取包含作为第二初始电力值的制程设定电力值的处理制程；以及从所述第一初始电力值和所述第二初始电力值中的某一者中决定对等离子体激发用天线的初始接通电力，在将所述第一初始电力值决定为所述初始接通电力的情况下，所述等离子体处理方法包括以下工序：用至少所述初始电力施加时间以上的时间长度向所述等离子体激发用天线供给所决定的所述初始接通电力；以及使向所述等离子体激发用天线供给的高频电力的输出从所述初始接通电力逐步地上升到所述制程设定电力值。

公开(公告)号：CN101405842B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200780009418.7

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  宫下大幸 ,  米田昌刚 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  野村正道 ,  清水美和

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。