公开(公告)号：CN114496702A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111292982.2

申请日：2021-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木淳一 ,  池上真史 ,  佐藤充明 ,  赤羽和彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够降低边缘环的更换频率、并且能够抑制传热气体的泄漏和颗粒的产生的边缘环和基片处理装置。边缘环是能够配置在被处理基片的周围的边缘环，其包括：由第一材料形成的环状的第一部件，该第一部件在内周侧的侧面下部具有第一倾斜部；和设置在第一部件的下部的环状的第二部件，其由与第一材料不同的第二材料形成，并具有与第一倾斜部相对的第二倾斜部。

公开(公告)号：CN113471047A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110259906.5

申请日：2021-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  花冈秀敏 ,  池上真史 ,  佐藤直行 ,  塚原利也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种边缘环及等离子体处理装置，该边缘环的耐等离子体性得到提高。该边缘环由包含碳化硼和碳化硅的材料构成，所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。

公开(公告)号：CN111029237A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910856969.1

申请日：2019-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池上真史 ,  佐佐木康晴

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法。在该基板支承组件中，能够以抑制支承台与聚焦环之间的阻抗的变化的方式调整聚焦环的铅垂方向的位置。例示的实施方式的基板支承组件具备支承台和一个以上的压电元件。支承台具有下部电极和静电卡盘。支承台具有上表面。该上表面包括供基板载置于其上的第1区域和供聚焦环配置于其上方的第2区域。一个以上的压电元件设置于聚焦环与第2区域之间。一个以上的压电元件各自的厚度能够以抑制聚焦环与第2区域之间产生空间的方式变化。

公开(公告)号：CN111029237B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201910856969.1

申请日：2019-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池上真史 ,  佐佐木康晴

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法。在该基板支承组件中，能够以抑制支承台与聚焦环之间的阻抗的变化的方式调整聚焦环的铅垂方向的位置。例示的实施方式的基板支承组件具备支承台和一个以上的压电元件。支承台具有下部电极和静电卡盘。支承台具有上表面。该上表面包括供基板载置于其上的第1区域和供聚焦环配置于其上方的第2区域。一个以上的压电元件设置于聚焦环与第2区域之间。一个以上的压电元件各自的厚度能够以抑制聚焦环与第2区域之间产生空间的方式变化。

公开(公告)号：CN113808968A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110597924.4

申请日：2021-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池上真史

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供边缘环和等离子体处理装置。抑制反应产物在载置处理对象体的载置台中附着于载置面的周缘部。一种边缘环，其以包围在载置台的载置面载置的处理对象体的方式设于所述载置台，其中，该边缘环包括：第1环部，其在低于所述载置面的位置具有表面；以及第2环部，其设于所述第1环部的径向外侧，且在高于所述载置面的位置具有表面，所述第1环部的表面具有凹凸形状。

公开(公告)号：CN112490103A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010921226.0

申请日：2020-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池上真史

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种静电吸附方法和等离子体处理装置，能够简易地抑制环构件的吸附力的下降。对电极按等离子体处理的处理单位施加不同的极性的电压，所述电极设置于载置作为等离子体处理的对象的基板和包围基板的周围的环构件的载置台的内部的、至少与环构件对应的区域中。