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公开(公告)号:CN101527262A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200910008928.3
申请日:2009-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10),具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29),该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34),加热层(33)全面覆盖电极层(33),并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32),在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。
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公开(公告)号:CN1573632A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410047927.7
申请日:2004-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67017 , Y10T137/2499 , Y10T137/7722 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8733
Abstract: 本发明提供一种分压控制系统,其能够减少作用气体的白白浪费,同时能够提高对设定改变等的响应性能。在分压控制系统(45)中设置:并联设置在作用气体供给管路中,可变地控制作用气体的二个阀门(8);相对各个阀门(8)串联连接,检测作用气体的压力的压力传感器(3);基于压力传感器(3)的检测结果来按比例控制阀门(8)的操作,由此相对地控制二个阀门(8)的输出压力P1,P2的控制器(25)。
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公开(公告)号:CN101527262B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910008928.3
申请日:2009-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10),具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29),该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34),加热层(33)全面覆盖电极层(33),并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32),在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。
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公开(公告)号:CN1313894C
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200410047927.7
申请日:2004-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67017 , Y10T137/2499 , Y10T137/7722 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8733
Abstract: 本发明提供一种分压控制系统,其能够减少作用气体的白白浪费,同时能够提高对设定改变等的响应性能。在分压控制系统(45)中设置:并联设置在作用气体供给管路中,可变地控制作用气体的二个阀门(8);相对各个阀门(8)串联连接,检测作用气体的压力的压力传感器(3);基于压力传感器(3)的检测结果来按比例控制阀门(8)的操作,由此相对地控制二个阀门(8)的输出压力P1,P2的控制器(25)。
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