电极单元、基板处理装置及电极单元的温度控制方法

    公开(公告)号:CN101527262A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200910008928.3

    申请日:2009-02-12

    Inventor: 肥田刚 大藪淳

    Abstract: 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10),具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29),该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34),加热层(33)全面覆盖电极层(33),并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32),在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。

    电极单元、基板处理装置及电极单元的温度控制方法

    公开(公告)号:CN101527262B

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN200910008928.3

    申请日:2009-02-12

    Inventor: 肥田刚 大藪淳

    Abstract: 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10),具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29),该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34),加热层(33)全面覆盖电极层(33),并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32),在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。

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