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公开(公告)号：CN114256049B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111079857.3
申请日：2021-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够实现处理容器内的清洁和部件损耗的抑制的等离子体处理装置和等离子体生成方法。等离子体处理装置包括：处理容器；金属窗，其将所述处理容器的内部划分成上部的天线室和下部的处理室，并具有多个部分窗；感应耦合天线，其在所述天线室配置在所述金属窗的上部，能够在所述处理室生成感应耦合等离子体；下部电极，其能够在所述处理室内载置基片，并被施加偏置电压用的高频电功率；电容元件，其在一端与1个或多个所述部分窗连接，且在另一端被接地；和电阻元件，其与所述电容元件并联地在一端与1个或多个所述部分窗连接、且在另一端被接地。
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公开(公告)号：CN110246741A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910166755.1
申请日：2019-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板载置构造体和等离子体处理装置。使附着于基板的背面与载置台之间的沉积物减少。基板载置构造体(130)具备载置台(150)、聚焦环(131)以及支承构件(132)。聚焦环(131)包围供基板(W)载置的载置台(150)的载置面(152a)且配置于比载置面低的位置。支承构件(132)配置于聚焦环(131)的下侧并支承聚焦环。另外，聚焦环(131)具有上部环构件(131a)和下部环构件(131b)。下部环构件(131b)构成聚焦环(131)的下部并覆盖支承构件(132)。上部环构件(131a)构成聚焦环(131)的上部，其载置台(150)侧的侧面(1310)的至少一部分与载置台的侧面之间的距离比下部环构件(131b)的载置台(150)侧的侧面(1311)与载置台的侧面之间的距离长。
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公开(公告)号：CN111146134B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201911060409.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台，当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温，其中，所述基板载置台具有：金属制的第1板，其借助间隙被划分区域成多个调温区域；以及金属制的第2板，其与所述第1板接触，并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率，各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部，具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
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公开(公告)号：CN1934692A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008539.0
申请日：2005-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 町山弥
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/68 , Y10S414/135
Abstract: 仿真基板(17)在具有用于辅助中心定位的第一引导体(G1)这一点与被处理基板不同，但可以作为被处理基板的替代物而被操作。处理室(2)配设有用于辅助仿真基板(17)中心定位的第二引导体(G2)。为了算出搬送机构(TRM)的搬送偏差，首先在装载台(14)的上面或上方，通过使第一和第二引导体(G1、G2)结合，使仿真基板(17)相对于装载台14中心定位。这样，利用搬送机构(TRM)接受已经中心定位的仿真基板(17)并将其搬送到检测器(11)。然后，利用检测器(11)得到仿真基板(17)的偏心量和偏心方向的检测值，根据检测值，算出搬送机构(TRM)的搬送偏差。
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公开(公告)号：CN115856462A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211122513.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01R31/00 , G01R19/165 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种故障探测方法和等离子体处理装置。是等离子体处理装置中的处于多个局部窗与接地之间的阻抗调整部的故障探测方法，装置具有：金属窗，将处理容器内划分为天线室和处理室，金属窗具有多个局部窗；天线，用于生成电感耦合等离子体；以及静电吸盘，其中，阻抗调整部包括处于多个局部窗与接地之间的多个电容元件，该方法包括以下工序：向静电吸盘施加直流电压；开始电源用高频电力和/或偏压用高频电力的供给；稳定供给电源用高频电力和偏压用高频电力；在对基板进行处理的期间，测定在多个电容元件的各个电容元件产生的电容元件电压；基于多个电容元件的各个电容元件的电容元件电压与阈值的比较结果来判定多个阻抗调整部的故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823266A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210030989.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够稳定地使等离子体点火的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置能够通过感应耦合在处理室内产生等离子体，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：以能够与所述处理室内连通的方式安装在所述处理室的壁上的VUV灯；设置在所述VUV灯与所述处理室之间的开闭门，其用于对所述VUV灯与所述处理室之间进行开关；和用于将所述开闭门和所述VUV灯之间的部分与所述处理室内连接的旁通管线。
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公开(公告)号：CN100440475C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200580008539.0
申请日：2005-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 町山弥
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/68 , Y10S414/135
Abstract: 仿真基板(17)在具有用于辅助中心定位的第一引导体(G1)这一点与被处理基板不同，但可以作为被处理基板的替代物而被操作。处理室(2)配设有用于辅助仿真基板(17)中心定位的第二引导体(G2)。为了算出搬送机构(TRM)的搬送偏差，首先在装载台(14)的上面或上方，通过使第一和第二引导体(G1、G2)结合，使仿真基板(17)相对于装载台14中心定位。这样，利用搬送机构(TRM)接受已经中心定位的仿真基板(17)并将其搬送到检测器(11)。然后，利用检测器(11)得到仿真基板(17)的偏心量和偏心方向的检测值，根据检测值，算出搬送机构(TRM)的搬送偏差。
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公开(公告)号：CN115522181A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210681604.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/54 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
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公开(公告)号：CN110648890B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201910547433.1
申请日：2019-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够减少飞散在处理室内的颗粒。该等离子体处理装置包括处理室、第一部件和第二部件。处理室形成在其中生成等离子体的处理空间，并利用等离子体来处理收纳于处理空间内的被处理体。第一部件具有面向处理空间的第一面，且配置在处理室内。第二部件配置在比第一部件靠处理空间侧的处理室内，具有面向处理空间的第二面，该第二面被包含在与包含第一面的平面或曲面交叉的平面或曲面中。在第一部件和第二部件的截面中，在包含第一面的平面或曲面与包含第二面的平面或曲面的交点附近的、第一部件与第二部件之间，形成有空隙。
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公开(公告)号：CN114256049A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111079857.3
申请日：2021-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够实现处理容器内的清洁和部件损耗的抑制的等离子体处理装置和等离子体生成方法。等离子体处理装置包括：处理容器；金属窗，其将所述处理容器的内部划分成上部的天线室和下部的处理室，并具有多个部分窗；感应耦合天线，其在所述天线室配置在所述金属窗的上部，能够在所述处理室生成感应耦合等离子体；下部电极，其能够在所述处理室内载置基片，并被施加偏置电压用的高频电功率；电容元件，其在一端与1个或多个所述部分窗连接，且在另一端被接地；和电阻元件，其与所述电容元件并联地在一端与1个或多个所述部分窗连接、且在另一端被接地。
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