公开(公告)号：CN113448889A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110297921.9

申请日：2021-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  小泉真 ,  富田尚宏 ,  加茂信一 ,  女部田雄总 ,  小川纯一

IPC: G06F13/10 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种控制系统、控制方法以及基板处理装置，能够恰当地对装置进行操作。控制对基板进行处理的基板处理装置的控制系统具有：第一终端和第二终端，所述第一终端和所述第二终端配置于与所述基板处理装置相同的场所，从用户处接受针对所述基板处理装置进行的控制的指示；第三终端，其配置于与所述基板处理装置不同的场所，从用户处接受针对所述基板处理装置进行的控制的指示；以及控制装置，其在探测到所述基板处理装置的异常的情况下，将所述第三终端对所述基板处理装置进行的控制设为无效。

公开(公告)号：CN118539139A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410177418.3

申请日：2024-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川纯一 ,  笹浪雄作

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/50 ,  H05H1/00 ,  G01N27/626

Abstract: 本公开提供等离子体处理装置的异常探测方法和等离子体处理装置，检测在等离子体处理装置中产生的异常。在等离子体处理装置的异常探测方法中，虚拟矩形平面被划分为多个区，且所述虚拟矩形平面具有被划分为多个区组的部分，所述区组是将所述区组合而成的，所述等离子体处理装置的异常探测方法在监视期间包括以下工序：通过所述电流计来检测多个所述天线线圈中的各个天线线圈的电流值；针对多个所述天线线圈中的各个天线线圈计算基于所述电流值的评价值；以及针对多个所述区中的各个区求出所述监视期间的所述天线线圈的所述评价值的平均值，基于所述平均值来探测得到了所述评价值的所述区、或者包含得到了所述评价值的所述区的所述区组的异常。

公开(公告)号：CN114823269A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210039073.6

申请日：2022-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富田尚宏 ,  小川纯一

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/244

Abstract: 本公开涉及一种等离子体处理装置的异常探测方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置具备沿着与窗构件对应的虚拟矩形平面配置的多个天线线圈，多个天线线圈的各天线线圈的一端与高频电源连接，且另一端经由电流计来与接地电位连接，虚拟矩形平面的至少一部分被划分为分别配置多个天线线圈中的任一天线线圈的多个区域，虚拟矩形平面具有被划分为多个合并区域的部分，各合并区域是将在虚拟矩形平面中配置于对称的位置的区域组合而成的，等离子体处理装置的异常探测方法包括以下工序：比较在多个合并区域的各合并区域中所包括的各区域配置的天线线圈的评价值，计算最大值与最小值之差，基于差来探测异常。

公开(公告)号：CN113448889B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202110297921.9

申请日：2021-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  小泉真 ,  富田尚宏 ,  加茂信一 ,  女部田雄总 ,  小川纯一

IPC: G06F13/10 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种控制系统、控制方法以及基板处理装置，能够恰当地对装置进行操作。控制对基板进行处理的基板处理装置的控制系统具有：第一终端和第二终端，所述第一终端和所述第二终端配置于与所述基板处理装置相同的场所，从用户处接受针对所述基板处理装置进行的控制的指示；第三终端，其配置于与所述基板处理装置不同的场所，从用户处接受针对所述基板处理装置进行的控制的指示；以及控制装置，其在探测到所述基板处理装置的异常的情况下，将所述第三终端对所述基板处理装置进行的控制设为无效。

公开(公告)号：CN115856462A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211122513.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富田尚宏 ,  山科井作 ,  笹浪雄作 ,  小川纯一 ,  植松治志 ,  祢津忠人 ,  齐藤均 ,  町山弥

IPC: G01R31/00 ,  G01R19/165 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开涉及一种故障探测方法和等离子体处理装置。是等离子体处理装置中的处于多个局部窗与接地之间的阻抗调整部的故障探测方法，装置具有：金属窗，将处理容器内划分为天线室和处理室，金属窗具有多个局部窗；天线，用于生成电感耦合等离子体；以及静电吸盘，其中，阻抗调整部包括处于多个局部窗与接地之间的多个电容元件，该方法包括以下工序：向静电吸盘施加直流电压；开始电源用高频电力和/或偏压用高频电力的供给；稳定供给电源用高频电力和偏压用高频电力；在对基板进行处理的期间，测定在多个电容元件的各个电容元件产生的电容元件电压；基于多个电容元件的各个电容元件的电容元件电压与阈值的比较结果来判定多个阻抗调整部的故障。