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公开(公告)号：CN118538591A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410177420.0
申请日：2024-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供抑制副产物在罩构件沉积的等离子体处理装置和基板处理方法。一种等离子体处理装置，其在处理容器的内部生成等离子体而对基板进行处理，其具备：金属窗，其配置于处理容器的上部；以及电感耦合天线，其与金属窗分离地配置于金属窗的上部，金属窗具有：多个部分窗；绝缘构件，其配置于多个部分窗之间以及多个部分窗与处理容器的壁部之间，使多个部分窗彼此电绝缘或者使多个部分窗与处理容器的壁部电绝缘；罩构件，其覆盖绝缘构件的下部，以防止绝缘构件的下部在处理容器的内部暴露；以及导电体层，其设于罩构件的内部或表面，导电体层在罩构件形成环状部的部分具有使导电体层不连续的不连续部，以防止导电体层在电学上形成闭合电路。
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公开(公告)号：CN111146134B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201911060409.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台，当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温，其中，所述基板载置台具有：金属制的第1板，其借助间隙被划分区域成多个调温区域；以及金属制的第2板，其与所述第1板接触，并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率，各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部，具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
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公开(公告)号：CN110581087B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910488033.8
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时、进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。一种基板载置台，其是于在处理容器内对基板进行处理之际载置所述基板并对该基板进行调温的基板载置台，其具有：第1板，其包括隔着间隙而隔开的多个金属制的分离板；以及第2板，其为金属制，并与各所述分离板接触，该第2板具有比所述第1板的导热系数低的导热系数，各所述分离板内置有进行固有的调温的调温部。
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公开(公告)号：CN110634725B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910525927.X
申请日：2019-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供对处理气体所导致的腐蚀和等离子体的耐久性更优越的喷淋头和等离子体处理装置。在对基片实施等离子体处理的等离子体处理装置中，喷淋头对腔室内供给处理气体，包括：主体部，其具有排出处理气体的多个气体排出孔；和气体扩散空间，其设置于主体部内并与多个气体排出孔连通，被导入处理气体，主体部包括：由金属形成的基材；嵌入在基材中且用于形成多个气体排出孔的多个衬套管；含浸有含浸材料的第一喷镀覆膜，其通过在基材的与气体扩散空间接触的面喷镀对处理气体具有耐腐蚀性的材料而形成；和含浸有含浸材料的第二喷镀覆膜，其通过在基材的与腔室的等离子体生成空间接触的面喷镀对处理气体的等离子体具有耐等离子体性的材料而形成。
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公开(公告)号：CN110581087A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910488033.8
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时、进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。一种基板载置台，其是于在处理容器内对基板进行处理之际载置所述基板并对该基板进行调温的基板载置台，其具有：第1板，其包括隔着间隙而隔开的多个金属制的分离板；以及第2板，其为金属制，并与各所述分离板接触，该第2板具有比所述第1板的导热系数低的导热系数，各所述分离板内置有进行固有的调温的调温部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742147B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510994178.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台，能够抑制粒子或异常放电的产生的技术。设置在等离子体处理装置中的载置台(3)，包括：棱柱状的金属制的载置台主体；形成于载置台主体的侧部的作为卡合部的凹部(61)；和与凹部卡合安装于载置台主体上的定位部件(7)。在定位部件上设置有突起部(72、73)，以在该突起部嵌合形成于环形部件(5)的下表面的凹部(55、56)的方式载置设置环形部件。因此，环形部件上表面作构成为未设置上下方向的贯通孔的平坦面，不会形成成为粒子的产生原因的间隙或与从环形部件的上表面用螺丝向载置台固定时的异常放电相关联的间隙，所以能够抑制粒子和异常放电的产生。
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公开(公告)号：CN107622945A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710574737.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN105742146A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993810.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/513 , H01L21/683 , H01L21/68785
Abstract: 在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此，在聚焦环的正下方不存在载置台主体，所以在聚焦环不产生垂直方向的电场，能够抑制聚焦环的削减。此外，通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接，使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接，并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造，能够抑制异常放电。
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公开(公告)号：CN102337511B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110208183.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种即使发生热膨胀也与下部电极之间不产生间隙，并能够防止下部电极的异常放电以及腐蚀的产生的屏蔽部件，以及其构成零件和具有屏蔽部件的基板载置台。本发明的屏蔽部件将包括沿下部电极的矩形的载置面的一边配置的绝缘性的长尺寸状物件并具有在长度方向的一端设置的固定用螺钉孔和在长尺寸状物件的长度方向离开设置的支承用螺钉孔的构成零件，以各环构成零件的长度方向的一端的端面与相邻的其他的环构成零件的长度方向的一端的侧面抵接，另一端的侧面与相邻的其他的环构成零件的不同的另外的环构成零件的一端的侧面抵接的方式进行组合。
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公开(公告)号：CN101901778B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010185980.9
申请日：2010-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置，该静电吸附电极不产生耐电压性能的问题而较薄地形成绝缘覆膜，又能够确保所需吸附力，不需要消除电荷。在具备利用静电力来吸附保持玻璃基板(G)的基板保持面的静电吸附电极(6)中，具备通过喷镀形成的被设置于基材(5)上的绝缘覆膜(41)以及被设置于绝缘覆膜(41)中的、被施加正电压的第一电极层(42a)和被施加负电压的第二电极层(42b)。
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