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公开(公告)号：CN116072498A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211285523.6
申请日：2022-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法使用等离子体处理装置利用等离子体对基片进行处理，包括基于处理方案进行控制的控制工序，处理方案由多个处理步骤构成，对每个处理步骤设定了用于对基片进行处理的多个处理参数各自的参数值，在控制工序中，在将处理方案与预先确定的点火参照数据进行对照的结果是判断为难以通过基于该处理方案的控制使等离子体稳定地点火的情况下，执行包括等离子体的点火的处理步骤时，在经过等离子体达到稳定的稳定时间为止的期间，将多个处理参数中的一部分处理参数替换为与所设定的参数值不同的点火用参数值来进行控制，在经过稳定时间后，使用一部分处理参数的原来设定的参数值进行控制。
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公开(公告)号：CN115027943A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210176155.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板位置控制方法和基板处理系统。基板位置控制方法包括以下工序：第一计算工序，参照存储部来计算差分信息，存储部存储用于对向第一处理室和第二处理室搬送的基板进行位置调整的第一位置调整信息和第二位置调整信息，差分信息表示将基于第一位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置与将基于第二位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置之间的旋转方向偏移和伸缩方向偏移；第二计算工序，计算用于校正旋转方向偏移的旋转校正值；以及第三计算工序，计算伸缩校正值，该伸缩校正值用于校正伸缩方向偏移、以及由于根据旋转校正值校正基板的位置而产生的、旋转校正所引起的偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113947517A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110777046.4
申请日：2021-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种显示方法和基板处理装置。该显示方法用于显示表示与基板处理有关的信息的多个参数，包括以下工序：获取以预先设定的周期进行采样得到的多个所述参数的测定值、以及与所述测定值的采样时间有关的信息；基于与所述测定值的采样时间有关的信息，以进行了采样的顺序在多个所述参数的测定值中提取发生了随时间变化的测定值，或者提取所述发生了随时间变化的测定值和在紧挨该测定值之前进行采样得到的测定值；将提取出的多个所述参数的测定值同与所述测定值的采样时间有关的信息相关联地存储于存储器部；基于存储器部中存储的与所述测定值的采样时间有关的信息，将多个所述参数的测定值绘制成曲线图；以及显示绘制出的所述曲线图。
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公开(公告)号：CN115027943B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210176155.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板位置控制方法和基板处理系统。基板位置控制方法包括以下工序：第一计算工序，参照存储部来计算差分信息，存储部存储用于对向第一处理室和第二处理室搬送的基板进行位置调整的第一位置调整信息和第二位置调整信息，差分信息表示将基于第一位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置与将基于第二位置调整信息被调整了位置的基板搬送至第二处理室的情况下的位置之间的旋转方向偏移和伸缩方向偏移；第二计算工序，计算用于校正旋转方向偏移的旋转校正值；以及第三计算工序，计算伸缩校正值，该伸缩校正值用于校正伸缩方向偏移、以及由于根据旋转校正值校正基板的位置而产生的、旋转校正所引起的偏移。
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公开(公告)号：CN116110770A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211354572.0
申请日：2022-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：处理容器；载置台；金属窗，其保持与处理容器电绝缘地形成处理容器的顶部，并且被接地；隔着金属窗与载置台相对的电感耦合天线，其保持与金属窗电绝缘地配置；和用于对等离子体处理进行控制的控制部，控制部能够执行：以第一电功率向载置台供给第一高频，在金属窗与载置台之间通过电容耦合使等离子体点火的第一控制；以第二电功率向电感耦合天线供给第二高频，经由金属窗通过电感耦合来维持等离子体的第二控制；和将第一高频的电功率改变为比第一电功率大的第三电功率，对被载置在载置台上的基片实施等离子体处理的第三控制。
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公开(公告)号：CN115995406A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211232993.6
申请日：2022-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置，其能够使基片的处理中的除静电处理优化。基片处理装置的基片处理方法，包括：从对基片实施等离子体处理和除静电处理的处理模块将所述基片送出，并将该基片输送到能够在大气气氛和真空气氛之间切换的负载锁定部的步骤；在所述负载锁定部测量所述基片的带电状态的步骤；和对所述基片的带电状态的测量结果进行分析来使所述除静电处理优化的步骤。
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公开(公告)号：CN115856462A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211122513.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01R31/00 , G01R19/165 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种故障探测方法和等离子体处理装置。是等离子体处理装置中的处于多个局部窗与接地之间的阻抗调整部的故障探测方法，装置具有：金属窗，将处理容器内划分为天线室和处理室，金属窗具有多个局部窗；天线，用于生成电感耦合等离子体；以及静电吸盘，其中，阻抗调整部包括处于多个局部窗与接地之间的多个电容元件，该方法包括以下工序：向静电吸盘施加直流电压；开始电源用高频电力和/或偏压用高频电力的供给；稳定供给电源用高频电力和偏压用高频电力；在对基板进行处理的期间，测定在多个电容元件的各个电容元件产生的电容元件电压；基于多个电容元件的各个电容元件的电容元件电压与阈值的比较结果来判定多个阻抗调整部的故障。
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