-
公开(公告)号：CN110648890B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201910547433.1
申请日：2019-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够减少飞散在处理室内的颗粒。该等离子体处理装置包括处理室、第一部件和第二部件。处理室形成在其中生成等离子体的处理空间，并利用等离子体来处理收纳于处理空间内的被处理体。第一部件具有面向处理空间的第一面，且配置在处理室内。第二部件配置在比第一部件靠处理空间侧的处理室内，具有面向处理空间的第二面，该第二面被包含在与包含第一面的平面或曲面交叉的平面或曲面中。在第一部件和第二部件的截面中，在包含第一面的平面或曲面与包含第二面的平面或曲面的交点附近的、第一部件与第二部件之间，形成有空隙。
-
公开(公告)号：CN105489655B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510633441.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: [课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
-
公开(公告)号：CN110648890A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910547433.1
申请日：2019-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够减少飞散在处理室内的颗粒。该等离子体处理装置包括处理室、第一部件和第二部件。处理室形成在其中生成等离子体的处理空间，并利用等离子体来处理收纳于处理空间内的被处理体。第一部件具有面向处理空间的第一面，且配置在处理室内。第二部件配置在比第一部件靠处理空间侧的处理室内，具有面向处理空间的第二面，该第二面被包含在与包含第一面的平面或曲面交叉的平面或曲面中。在第一部件和第二部件的截面中，在包含第一面的平面或曲面与包含第二面的平面或曲面的交点附近的、第一部件与第二部件之间，形成有空隙。
-
公开(公告)号：CN106981446B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710036715.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种提高对基板的等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(11)包括：将用于载置基板(G)的载置台(21)收容在内部的腔室(20)；配置在腔室(20)的内部的隔板部(22)；配置在隔板部(22)的上表面的高频天线(50)；和配置在隔板部(22)的下表面的气体导入单元，利用由高频天线(50)形成的电场将处理气体等离子体化来对基板(G)进行等离子体处理。气体导入单元具有如下构成：将具有以长条状向与基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(25b)的第1喷淋板(24a～24d)和具有以长条状向与基板载置面大致平行的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(55b)的第2喷淋板(54a～54d)配置成长边方向为辐射状延伸的方向的结构。
-
公开(公告)号：CN108866508A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447691.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916568B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510105351.3
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明一种能够抑制氧化物半导体的特性的降低且制造薄膜晶体管的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(8)的基板F执行等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(31)具备用于载置上层侧的金属膜被蚀刻处理而呈露出了氧化物半导体层(84)的状态的基板F的载置台(331)。真空排气部(314)进行处理容器(31)内的真空排气，从气体供给部(360)供给作为等离子体产生用气体的水蒸汽或含有氟的气体和氧气的混合气体。等离子体产生部(34)将上述等离子体产生用气体等离子体化，来执行将氧化物半导体层(84)暴露于利用水蒸汽或利用含有氟的气体和氧气的混合气体产生的等离子体中的等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN105039932A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510178260.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜装置以及排气装置和排气方法，即使成膜装置大型化，也能够防止排气结构的大型化、高成本化和复杂化并且能够抑制反应生成物在排气路径的沉积。排气单元(3)包括：对处理容器11内进行排气的前级真空泵(32)；在前级真空泵(32)的排气侧分支地设置、构成与被供给至处理容器(11)的第一处理气体和第二处理气体分别对应的排气路径的第一分支配管(33)和第二分支配管(34)；在第一分支配管(33)和第二分支配管(34)分别设置的第一后级真空泵(35)和第二后级真空泵(36)；切换排气路径的排气路径切换部(37、38)；和排气控制器(41)，其控制排气路径切换部(37、38)，使得排放气体在与第一处理气体和第二处理气体中被供给至处理容器(11)内的处理气体对应的排气路径流动。
-
公开(公告)号：CN104157541A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410203140.9
申请日：2014-05-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种具有能够容易地应对高输出化的高频电源的等离子体处理装置。本发明的第一高频电源部(65)具有电源控制部(130)、高频电源(140)和合成器(150)。多个放大部(142)彼此并联地连接到合成器(150)上，合成器(150)对由各放大部(142)放大后的高频电力进行合成。合成器(150)与匹配箱(63)连接，由合成器(150)合成后的高频电力经由匹配箱(63)供给到作为上部电极起作用的喷头(31)。
-
公开(公告)号：CN103215568A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310027371.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/3065
Abstract: 本发明在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另外的多个气体排出孔构成的第二气体孔列（102b）；由分别经由气体流路仅与构成上述第一气体孔列（102a）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101a）；和由分别经由气体流路仅与构成上述第二气体孔列（102b）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101b），对上述第一气体扩散室（101a）和第二气体扩散室（102b）供给不同种类的气体。
-
公开(公告)号：CN103108483A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210461279.4
申请日：2012-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明涉及高频天线电路以及感应耦合等离子体处理装置，高频天线电路能够抑制匹配电路的发热，而且能够提高具备分割天线的感应耦合等离子体处理装置的功率效率。高频天线电路用于在感应耦合等离子体处理装置中、在处理衬底的处理室内生成感应耦合等离子体，该高频天线电路具有：等离子体生成天线，其用于在处理室内生成等离子体；高频电源，其对等离子体生成天线提供高频电力；匹配电路，其存在于高频电源与等离子体生成天线之间；多个分割天线，其构成等离子体生成天线，被分配通过匹配电路之后的高频电力；以及并联谐振电容电路，其被设置成与多个分割天线中的各个分割天线并联。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.029 seconds)
