-
公开(公告)号：CN101044601A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580026456.4
申请日：2005-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , C23C14/50 , C23F1/00
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/541 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供了一种方法和系统，用于对衬底固定器上表面的温度分布进行迅速控制，以在该表面上得到具体的均匀温度分布或具体的非均匀温度分布。衬底固定器包括位于第一热区域中的第一流体通道，该通道采用具体流速和具体温度下的传热流体来控制衬底固定器表面第一热区域的温度分布。位于衬底固定器第二热区域中的第二流体通道采用具体流速和具体温度下的传热流体，并设置为对衬底固定器表面第二热区域的温度分布进行控制。
-
公开(公告)号：CN101682937B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780035454.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27D5/0037 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J2237/2001 , H01L21/67103
Abstract: 一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座以及与温度受控支撑基座相对并且被配置来支撑衬底的衬底支撑。还包括耦合到衬底支撑的一个或多个加热元件，这一个或多个加热元件被配置来将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度，还包括放置在温度受控支撑基座和衬底支撑之间的绝热体。绝热体包括经过温度受控支撑基座和衬底支撑之间的绝热体的传热系数(W/m2-K)的非均匀空间变化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410941A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011322.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/6875
Abstract: 本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。
-
公开(公告)号：CN101682937A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780035454.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27D5/0037 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J2237/2001 , H01L21/67103
Abstract: 一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座以及与温度受控支撑基座相对并且被配置来支撑衬底的衬底支撑。还包括耦合到衬底支撑的一个或多个加热元件，这一个或多个加热元件被配置来将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度，还包括放置在温度受控支撑基座和衬底支撑之间的绝热体。绝热体包括经过温度受控支撑基座和衬底支撑之间的绝热体的传热系数(W/m 2 -K)的非均匀空间变化。
-
公开(公告)号：CN101154612A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710151862.4
申请日：2007-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 塚本雄二
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑衬底的衬底支撑、以及耦合到衬底支撑并且被配置为将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度的一个或多个加热元件。抗蚀性绝热体被置于温度受控支撑基座和衬底支撑之间，其中抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。
-
公开(公告)号：CN101154612B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200710151862.4
申请日：2007-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 塚本雄二
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑衬底的衬底支撑、以及耦合到衬底支撑并且被配置为将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度的一个或多个加热元件。抗蚀性绝热体被置于温度受控支撑基座和衬底支撑之间，其中抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。
-
公开(公告)号：CN101410941B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780011322.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/6875
Abstract: 本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.02 seconds)
