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公开(公告)号：CN111725045A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010169382.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理装置和载置台上是否存在聚焦环的检测方法。基片处理装置包括载置台、光源、聚焦调节部、受光部和控制部。载置台包括用于载置基片的第1载置面和包围第1载置面并用于载置聚焦环的第2载置面。聚焦调节部将来自光源的光聚焦到当聚焦环被载置于第2载置面上时的聚焦环的下表面位置。受光部接收来自聚焦环的下表面位置的光。控制部基于受光部接收到的光，检测第2载置面上是否存在聚焦环。本发明能够检测是否存在配置于载置台上的聚焦环。
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公开(公告)号：CN112697295A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011060754.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/00
Abstract: 本公开涉及温度测量系统和温度测量方法。对具有第一及与第一主表面相向的第二主表面的测定对象物的温度进行测量，具备：光源部，其产生输出光，所述输出光包括第一及第二波长范围，所述输出光透过测定对象物；测定部，其测定来自第一及第二主表面的反射光的光谱；光程比计算部，其通过对光谱进行傅立叶变换来计算光程比，所述光程比为关于第一波长范围的输出光的光程与关于第二波长范围的输出光的光程之比；以及温度计算部，其基于光程比及预先获取到的折射率比与测定对象物的温度之间的关系来计算测定对象物的温度，所述折射率比为关于第一波长范围的输出光的在测定对象物的折射率与关于第二波长范围的输出光的在测定对象物的折射率。
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公开(公告)号：CN112461121B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010875893.X
申请日：2020-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种进行处理装置的检查的系统和检查方法，能够判定处理装置的异常。进行处理装置的检查的系统具备：温度调整机构，其调整处理装置的处理室内的部件温度；光源，其产生测定光；多个光学元件，在温度调整机构对部件进行温度调整的期间，所述多个光学元件将通过光源产生的测定光作为出射光射出至处理装置的处理室内的部件，并且反射光射入所述多个光学元件；以及控制部，其基于反射光，针对与光学元件对应的每个测定部位测定部件温度，基于测定部位的部件温度的各温度的比较来判定处理装置的异常。
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公开(公告)号：CN111725045B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010169382.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理装置和载置台上是否存在聚焦环的检测方法。基片处理装置包括载置台、光源、聚焦调节部、受光部和控制部。载置台包括用于载置基片的第1载置面和包围第1载置面并用于载置聚焦环的第2载置面。聚焦调节部将来自光源的光聚焦到当聚焦环被载置于第2载置面上时的聚焦环的下表面位置。受光部接收来自聚焦环的下表面位置的光。控制部基于受光部接收到的光，检测第2载置面上是否存在聚焦环。本发明能够检测是否存在配置于载置台上的聚焦环。
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公开(公告)号：CN108807123A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810384258.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载置台(7)设于第1载置台(2)的外周，并载置聚焦环(5)，且在内部设有制冷剂流路(7d)和加热器(9a)。升降机构(120)使第2载置台(7)升降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115307773A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210463006.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 系统具备：第1光学部，构成为，向测量对象物射出光，并且使来自测量对象物的第1干涉光入射；第2光学部，构成为，向构成为相对于温度变动而光路长为一定的基准物体射出光，并且使来自基准物体的第2干涉光入射；分光器，与第1光学部及第2光学部连接，使第1干涉光及第2干涉光入射；以及控制部，与分光器连接；控制部根据基于入射到规定温度环境下的分光器的第2干涉光计算的基准物体的测量光路长和预先取得的基准物体的基准光路长，计算规定温度环境下的测量光路长相对于基准光路长的变动率；将基于在规定温度环境下入射到分光器的第1干涉光计算的测量对象物的光路长基于变动率修正。
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公开(公告)号：CN113390352A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110244840.2
申请日：2021-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种光干涉系统和基板处理装置。提供通过简易的结构来测量测定对象物的物理性质的技术。在一个例示性的实施方式中，提供一种光干涉系统。光干涉系统具备：光源，其构成为产生测定光；光纤，其构成为传输测定光；以及测量部。光纤具有单模光纤、多模光纤、以及将单模光纤和多模光纤连接的连接部。光纤的顶端由多模光纤构成。光纤的顶端的端面构成为向测定对象物射出测定光并且被射入来自测定对象物的反射光。测量部构成为基于反射光来测量测定对象物的物理性质。
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公开(公告)号：CN112992640A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011388507.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种输送系统和输送方法。输送聚焦环的输送系统包括处理系统和位置检测系统，处理系统包括：处理装置，其具有腔室主体和包含基片载置区域及聚焦环载置区域的载置台；以及能够输送聚焦环的输送装置，位置检测系统包括：光源；构成为使光出射并且供反射光入射的多个光学元件；驱动部，其构成为使光学元件分别移动以扫描从聚焦环至基片载置区域为止的扫描范围；和控制部，其构成为按每个光学元件，基于扫描范围内的反射光计算聚焦环与载置台的位置关系，输送装置构成为基于计算出的位置关系来调节将聚焦环输送到聚焦环载置区域上的位置。根据本发明，能够提供高精度地输送聚焦环的技术。
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公开(公告)号：CN112461121A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010875893.X
申请日：2020-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种进行处理装置的检查的系统和检查方法，能够判定处理装置的异常。进行处理装置的检查的系统具备：温度调整机构，其调整处理装置的处理室内的部件温度；光源，其产生测定光；多个光学元件，在温度调整机构对部件进行温度调整的期间，所述多个光学元件将通过光源产生的测定光作为出射光射出至处理装置的处理室内的部件，并且反射光射入所述多个光学元件；以及控制部，其基于反射光，针对与光学元件对应的每个测定部位测定部件温度，基于测定部位的部件温度的各温度的比较来判定处理装置的异常。
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公开(公告)号：CN108807123B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810384258.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载置台(7)设于第1载置台(2)的外周，并载置聚焦环(5)，且在内部设有制冷剂流路(7d)和加热器(9a)。升降机构(120)使第2载置台(7)升降。
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