公开(公告)号：CN113053726B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202011477873.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户根川大和 ,  金珍锡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。

公开(公告)号：CN113053726A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011477873.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户根川大和 ,  金珍锡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。