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公开(公告)号：CN101667536A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910170537.1
申请日：2002-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/0271 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH 3 F。
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公开(公告)号：CN1650405A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN02816292.7
申请日：2002-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/0271 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 在具有SiC膜(61)和在其上形成的有机Si类低介电常数膜(62)的构造中，将有机Si类低介电常数膜(62)作为掩膜，通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻SiC膜(61)，此时，作为蚀刻气体，使用包含CH2F2的气体或者包含CH3F的气体。
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公开(公告)号：CN103080365A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040720.5
申请日：2011-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/544 , C23C14/545 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种蒸镀处理装置和蒸镀处理方法，能够在基板上形成薄膜的同时进行膜厚的控制。蒸镀处理装置利用蒸镀在基板上形成薄膜，其中，该蒸镀处理装置包括：自由减压的材料供给部，其用于供给材料气体；以及成膜部，其用于在上述基板上形成薄膜，上述成膜部具有用于对向上述基板喷射的材料气体的蒸气浓度进行测量的检测部件，该蒸镀处理装置设有控制部，该控制部根据上述检测部件的测量结果来控制成膜条件。
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公开(公告)号：CN101593677A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910138621.5
申请日：2002-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/312 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiN部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiN部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2和O2，蚀刻气体还包括Ar，蚀刻气体中Ar的流量/(CH2F2+O2)的流量的比例是比0大而在5以下，被处理体具有在SiN部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiN部分。
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公开(公告)号：CN108293292A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201780004093.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/312
Abstract: 等离子电极(30)具备中间电极板(60)、接地板(40)以及被配置在中间电极板(60)与接地板(40)之间的中间绝缘板(50)。中间电极板(60)的凸部(61)被配置于接地板(40)的贯通孔(42)以及中间绝缘板(50)的贯通孔(52)的内侧。被设置在凸部(61)的中心轴的贯通孔(62)或者被设置在贯通孔(42)的周围的贯通孔(41)的任意一方将第一处理气体向接地板(40)的下方排出。贯通孔(62)或者贯通孔(41)的任意另一方排出接地板(40)的下方的气体。凸部(61)的周围的第二流路对凸部(61)的外侧壁与贯通孔(42)的内侧壁之间的间隙供给经由第一流路(68)所供给的第二处理气体。供给到该间隙的第二处理气体通过施加到中间电极板(60)的高频电力而在该间隙内被等离子化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667536B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910170537.1
申请日：2002-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/0271 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供一种被处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH3F。
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公开(公告)号：CN102437001A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110287175.1
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01L21/306 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/568 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。
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公开(公告)号：CN108293292B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201780004093.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/312
Abstract: 等离子电极(30)具备中间电极板(60)、接地板(40)以及被配置在中间电极板(60)与接地板(40)之间的中间绝缘板(50)。中间电极板(60)的凸部(61)被配置于接地板(40)的贯通孔(42)以及中间绝缘板(50)的贯通孔(52)的内侧。被设置在凸部(61)的中心轴的贯通孔(62)或者被设置在贯通孔(42)的周围的贯通孔(41)的任意一方将第一处理气体向接地板(40)的下方排出。贯通孔(62)或者贯通孔(41)的任意另一方排出接地板(40)的下方的气体。凸部(61)的周围的第二流路对凸部(61)的外侧壁与贯通孔(42)的内侧壁之间的间隙供给经由第一流路(68)所供给的第二处理气体。供给到该间隙的第二处理气体通过施加到中间电极板(60)的高频电力而在该间隙内被等离子化。
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公开(公告)号：CN109841510A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811415750.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 布濑晓志
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置。本发明的课题是对基板进行薄且均匀的蚀刻。蚀刻方法是在作为蚀刻对象的基板S上将含有CFx的直链型的分子进行成膜。蚀刻方法是对成膜有分子的基板S照射活化CFx的活化气体。
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公开(公告)号：CN100559554C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN02816292.7
申请日：2002-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01L21/0271 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 在具有SiC膜(61)和在其上形成的有机Si类低介电常数膜(62)的构造中，将有机Si类低介电常数膜(62)作为掩膜，通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻SiC膜(61)，此时，作为蚀刻气体，使用包含CH2F2的气体或者包含CH3F的气体。
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