公开(公告)号：CN109285754A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810794360.1

申请日：2018-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川聪 ,  松浦淳 ,  三森章祥 ,  山口伸

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明检测制冷剂的泄漏。本发明一技术方案的处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入空间与第一流路连接，第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于第一端部与规定空间之边界的壁面之间的间隙，将该间隙密封。载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，第二流路的该一端与间隙连接，第一密封部件在第二流路的第一流路一侧与壁面接触。该处理装置还包括与第二流路的另一端连接的第二配管和与第二配管连接的检测装置。

公开(公告)号：CN100501965C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710140388.5

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山昇一郎 ,  桧森慎司 ,  松浦淳

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。

公开(公告)号：CN101123201A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140388.5

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山昇一郎 ,  桧森慎司 ,  松浦淳

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。

公开(公告)号：CN109285754B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201810794360.1

申请日：2018-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川聪 ,  松浦淳 ,  三森章祥 ,  山口伸

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明检测制冷剂的泄漏。本发明一技术方案的处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入空间与第一流路连接，第二端部与制冷剂供给机构连接；和第一密封部件，其设置于第一端部与规定空间之边界的壁面之间的间隙，将该间隙密封。载置台内形成有具有一端和另一端的第二流路，第二流路的该一端与间隙连接，第一密封部件在第二流路的第一流路一侧与壁面接触。该处理装置还包括与第二流路的另一端连接的第二配管和与第二配管连接的检测装置。