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公开(公告)号：CN106132564B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201480077666.5
申请日：2014-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明公开的技术提供一种如下的旋转涂布设备和旋转涂布方法：其抑制湍流流动导致的风痕和其他缺陷的形成，从而允许较高的旋转速度和减少的干燥时间，同时保持膜均匀性。本发明公开的技术包括定位在或悬吊在晶片或其他衬底的表面的上方的流体流动构件，如环或盖。该流体流动构件的径向曲率能够防止在晶片的涂布和旋转干燥处理期间的旋转过程中形成风痕。
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公开(公告)号：CN106132564A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201480077666.5
申请日：2014-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 本发明公开的技术提供一种如下的旋转涂布设备和旋转涂布方法：其抑制湍流流动导致的风痕和其他缺陷的形成，从而允许较高的旋转速度和减少的干燥时间，同时保持膜均匀性。本发明公开的技术包括定位在或悬吊在晶片或其他衬底的表面的上方的流体流动构件，如环或盖。该流体流动构件的径向曲率能够防止在晶片的涂布和旋转干燥处理期间的旋转过程中形成风痕。
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公开(公告)号：CN108431929B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201680076430.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。
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公开(公告)号：CN108431929A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680076430.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L22/20 , C09K13/00 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/32134 , H01L21/76898 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53228 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L28/00
Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。
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