公开(公告)号：CN108431929B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201680076430.9

申请日：2016-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 华莱士·P·普林茨 ,  高桥修平 ,  冈村直之 ,  山下正道 ,  德里克·W·巴塞特 ,  安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。

公开(公告)号：CN108431929A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680076430.9

申请日：2016-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 华莱士·P·普林茨 ,  高桥修平 ,  冈村直之 ,  山下正道 ,  德里克·W·巴塞特 ,  安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  C09K13/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L28/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。