公开(公告)号：CN117637468A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311071845.5

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  野吕基贵 ,  王昕愷 ,  及川弘太

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，能够去除含金属层。在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，第一材料包含硅，第二材料与第一材料不同；工序(b)，利用从包含卤族元素和金属的处理气体生成的等离子体，在第一区域上形成含金属层，并且对第二区域进行蚀刻；以及工序(c)，利用碱将含金属层去除。

公开(公告)号：CN119968696A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202480003929.1

申请日：2024-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高田郁弥 ,  森北信也 ,  及川弘太 ,  新仓菜月

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够提高选择比的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法在包括腔室的等离子体处理装置中执行，包括：工序（a），在配置于腔室内的基片支承部上准备基片，其中，基片在俯视时包括多个第一区域和位于第一区域之间的至少一个第二区域，基片包括含硅和氮的第一膜，第一膜配置于多个第一区域，并且在至少一个第二区域包含凹部，在凹部配置有第二膜；工序（b），向腔室内供给包含第一气体和第二气体的处理气体，其中，第一气体含金属和氟，第二气体能够捕获含氟的活性种；和工序（c），在工序（b）的执行期间，使用具有第一频率的生成源RF信号从处理气体生成等离子体，至少在凹部相对于第一膜有选择地蚀刻第二膜。

公开(公告)号：CN115565870A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210725530.7

申请日：2022-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高田郁弥 ,  吉村正太 ,  森北信也 ,  及川弘太

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有优异的耐蚀刻性的含钨沉积物。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，所述基板包括包含硅和氮的第一区域以及包含硅和氧的第二区域；工序(b)，使用从包含碳和氢中的至少一方、氟以及钨的第一处理气体生成的第一等离子体，在第一区域上形成含钨沉积物；工序(c)，在工序(b)之后，使用从与第一处理气体不同的第二处理气体生成的第二等离子体对第二区域进行蚀刻。