公开(公告)号：CN117637468A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311071845.5

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  野吕基贵 ,  王昕愷 ,  及川弘太

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，能够去除含金属层。在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，第一材料包含硅，第二材料与第一材料不同；工序(b)，利用从包含卤族元素和金属的处理气体生成的等离子体，在第一区域上形成含金属层，并且对第二区域进行蚀刻；以及工序(c)，利用碱将含金属层去除。

公开(公告)号：CN117637467A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311066469.0

申请日：2023-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伴濑贵德 ,  吉村正太 ,  王昕愷

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，提高蚀刻选择比。在所公开的蚀刻方法中，在基板在腔室内载置于基板支承部上、且处理气体供给到腔室内的状态下，重复循环。基板包括由包含硅的材料形成的第一区域、以及由与第一区域的材料不同的材料形成的第二区域。处理气体包含钨以及用于第一区域的蚀刻的成分。循环包括第一工序～第三工序。第一工序中的源高频电力的功率电平比第二工序～第三工序的各工序中的源高频电力的功率电平大。第三工序中的电偏压的电平比第一工序中的电偏压的电平大。第二工序中的电偏压的电平比零大。