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公开(公告)号：CN108531889B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810175365.6
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
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公开(公告)号：CN115315538B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202180022579.X
申请日：2021-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 关户幸一
IPC: C23C16/455 , H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 提供一种能够准确地计算通过原子层沉积法进行的成膜中的气体供给量的技术。提供一种气体供给量计算方法，包括以下工序：从在与通过原子层沉积法进行成膜的处理容器连接的气体供给路径中流动的第一物质气体与第二物质气体的混合气体的流量减去所述第二物质气体的流量，来计算所述第一物质气体的流量；将通过基于所述原子层沉积法的多个循环来进行的成膜中的、经过了紧接在成膜开始后的规定数量的循环之后的剩余的多个循环中的所述第一物质气体的被计算出的所述流量在时间上进行积分，来计算第一累计流量；将所述第一累计流量除以所述剩余的多个循环的数量，来计算每个所述循环的平均累计流量；以及将对所述平均累计流量乘上所述规定数量所得到的乘积值与所述第一累计流量相加，来计算基于所述原子层沉积法的多个循环中的所述第一物质气体的总供给量。
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公开(公告)号：CN113529052A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110371103.9
申请日：2021-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定的技术。本发明的一方式的原料供给装置包括：向处理容器内供给原料气体的原料供给通路；设置于所述原料供给通路的阀；检测所述原料供给通路内的压力的压力传感器；与所述原料供给通路连接，对所述原料供给通路内的所述原料气体进行排气的原料排气通路；设置于所述原料排气通路，通过调节开度来控制所述原料供给通路内的压力的开度调节机构；和基于所述压力传感器的检测值来调节所述开度调节机构的所述开度的控制部。
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公开(公告)号：CN101689528B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200880023114.0
申请日：2008-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67745 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67276
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该装置能够防止在用热处理模块对晶片(W)进行多次热处理时因支承部件的支承所导致的晶片(W)损伤。本发明的晶片处理装置具有用于对半导体晶片(W)的处理方案中的处理条件和半导体晶片(W)的方向关联地进行设定的方案设定部。通过该方案设定部设定半导体晶片(W)的方向，能够在位置对合模块中对合半导体晶片(W)的方向使之成为设定的方向。通过这样的结构，能够使每次用热处理模块进行热处理时半导体晶片背面的由支承部件(60a、60b、60c)所支承的部位(R)发生变化。
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公开(公告)号：CN109913853A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811525037.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及原料气体供给装置。在开始晶圆(100)的处理前进行的模拟制程中，测定载气的实际流量(Ca、Cb)和气化原料的实际流量(Pra、Prb)，求出表示载气与气化原料之间的相关度的校正系数(K0)。而且，使用校正系数(K0)来调整载气的流量以使气化原料的流量成为目标值。并且，根据第n-1张和第n张晶圆的处理时的载气的实际流量(Cn-1、Cn)和气化原料的实际流量(Prn-1、Prn)来求出表示载气的流量的增减量与气化原料的流量的增减量之间的相关度的校正系数(Kn)，向第n+1张晶圆供给使用校正系数(Kn)对流量以成为目标值的方式进行了调整的气化原料来进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101689528A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023114.0
申请日：2008-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67745 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67276
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该装置能够防止在用热处理模块对晶片(W)进行多次热处理时因支承部件的支承所导致的晶片(W)损伤。本发明的晶片处理装置具有用于对半导体晶片(W)的处理方案中的处理条件和半导体晶片(W)的方向关联地进行设定的方案设定部。通过该方案设定部设定半导体晶片(W)的方向，能够在位置对合模块中对合半导体晶片(W)的方向使之成为设定的方向。通过这样的结构，能够使每次用热处理模块进行热处理时半导体晶片背面的由支承部件(60a、60b、60c)所支承的部位(R)发生变化。
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公开(公告)号：CN100511629C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200680002813.8
申请日：2006-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种为了对基板实施相互相同的处理所设计的具备多个处理模块的处理系统的运转方法。当进行各处理模块的调节作为用于实施规定处理方案的准备时，每当一个处理模块的调节完成时，在从收纳未处理基板的盒体到该处理模块的搬送路径上逐次开始未处理基板的搬送，与此同时开始逐次对使用该处理模块的未处理基板进行处理。即使同一种类处理模块之间的调节所需时间不一致，也可以高效地运用处理系统。
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公开(公告)号：CN115315538A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022579.X
申请日：2021-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 关户幸一
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供一种能够准确地计算通过原子层沉积法进行的成膜中的气体供给量的技术。提供一种气体供给量计算方法，包括以下工序：从在与通过原子层沉积法进行成膜的处理容器连接的气体供给路径中流动的第一物质气体与第二物质气体的混合气体的流量减去所述第二物质气体的流量，来计算所述第一物质气体的流量；将通过基于所述原子层沉积法的多个循环来进行的成膜中的、经过了紧接在成膜开始后的规定数量的循环之后的剩余的多个循环中的所述第一物质气体的被计算出的所述流量在时间上进行积分，来计算第一累计流量；将所述第一累计流量除以所述剩余的多个循环的数量，来计算每个所述循环的平均累计流量；以及将对所述平均累计流量乘上所述规定数量所得到的乘积值与所述第一累计流量相加，来计算基于所述原子层沉积法的多个循环中的所述第一物质气体的总供给量。
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公开(公告)号：CN108531889A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810175365.6
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
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公开(公告)号：CN115298354A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021030.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 关户幸一
IPC: C23C16/52 , C23C16/14 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供一种能够在成膜装置中抑制固体原料容器的误连接的技术。成膜装置包括：固体原料容器，其用于收容成膜用的固体原料；多个端子，所述多个端子与所述固体原料容器机械连接，并且所述多个端子能够变更电气状态；以及控制部，其检测所述多个端子的电气状态，并基于被检测到的电气状态来判定所述固体原料的种类。
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