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公开(公告)号：CN101652851B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200880010967.0
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山口博史
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67196 , H01L21/67748 , H01L21/67772
Abstract: 本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中，抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散，其中，该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口，该搬送室通过闸室与该处理容器的搬送口连接，并包括用于进行基板的交接的搬送机构。上述真空处理装置具有处理容器、上述搬送室、和闸阀，该闸阀设置于上述闸室，用于在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口，在对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口。为了抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散，在闸室中设置有闸室惰性气体供给部和闸室排气口，以在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流。由此，能够抑制处理容器内的残留气体从搬送口扩散到搬送室。
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公开(公告)号：CN101356631B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780001371.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/04 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统，该膜位置调整方法能够容易地消除在基板处理系统内的成膜位置的偏移。基板处理系统包括处理腔室、和进行应该搬入处理腔室的晶片W的定心的定向器。定向器上设置有用于测定晶片W的中心位置的偏移的方位传感器，和通过图像识别功能测定位于晶片W的周边部分的非成膜部的宽度的图像传感器。在处理腔室内的成膜处理之后，将晶片W搬入定向器，在此测定晶片W的中心位置的偏移，进行晶片W的定心，并且测定晶片W的非成膜部的宽度，根据测定的非成膜部的宽度计算膜位置偏移。修正向处理腔室内的载置台上的晶片搬送目标位置，从而消除计算得出的膜位置偏移。
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公开(公告)号：CN101675511A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880015014.3
申请日：2008-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质。利用CCD检测器(30)，对在处理单元(1)的入口附近的待机位置(W1)待机的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状进行摄像。根据摄取的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状，利用运算部(40)检测该圆弧形状的多个部位的位置数据，求得半导体晶片(W)的假想圆，计算其中心坐标，并计算待机位置(W1)的半导体晶片(W)的“位置偏移信息”。然后，基于该“位置偏移信息”通过控制器(50)控制搬送装置(12)，对处理单元(1)中的半导体晶片(W)的位置进行修正。
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公开(公告)号：CN102157420A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110093201.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山口博史
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67196 , H01L21/67748 , H01L21/67772
Abstract: 本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中，抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散，其中，该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口，该搬送室通过闸室与该处理容器的搬送口连接，并包括用于进行基板的交接的搬送机构。上述真空处理装置具有处理容器、上述搬送室、和闸阀，该闸阀设置于上述闸室，用于在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口，在对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口。为了抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散，在闸室中设置有闸室惰性气体供给部和闸室排气口，以在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流。由此，能够抑制处理容器内的残留气体从搬送口扩散到搬送室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101652851A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880010967.0
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山口博史
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67196 , H01L21/67748 , H01L21/67772
Abstract: 本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中，抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散，其中，该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口，该搬送室通过闸室与该处理容器的搬送口连接，并包括用于进行基板的交接的搬送机构。上述真空处理装置具有处理容器、上述搬送室、和闸阀，该闸阀设置于上述闸室，用于在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口，在对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口。为了抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散，在闸室中设置有闸室惰性气体供给部和闸室排气口，以在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流。由此，能够抑制处理容器内的残留气体从搬送口扩散到搬送室。
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公开(公告)号：CN101356631A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001371.X
申请日：2007-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/04 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统，该膜位置调整方法能够容易地消除在基板处理系统内的成膜位置的偏移。基板处理系统包括处理腔室、和进行应该搬入处理腔室的晶片W的定心的定向器。定向器上设置有用于测定晶片W的中心位置的偏移的方位传感器，和通过图像识别功能测定位于晶片W的周边部分的非成膜部的宽度的图像传感器。在处理腔室内的成膜处理之后，将晶片W搬入定向器，在此测定晶片W的中心位置的偏移，进行晶片W的定心，并且测定晶片W的非成膜部的宽度，根据测定的非成膜部的宽度计算膜位置偏移。修正向处理腔室内的载置台上的晶片搬送目标位置，从而消除计算得出的膜位置偏移。
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公开(公告)号：CN100511629C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200680002813.8
申请日：2006-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种为了对基板实施相互相同的处理所设计的具备多个处理模块的处理系统的运转方法。当进行各处理模块的调节作为用于实施规定处理方案的准备时，每当一个处理模块的调节完成时，在从收纳未处理基板的盒体到该处理模块的搬送路径上逐次开始未处理基板的搬送，与此同时开始逐次对使用该处理模块的未处理基板进行处理。即使同一种类处理模块之间的调节所需时间不一致，也可以高效地运用处理系统。
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公开(公告)号：CN101675511B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880015014.3
申请日：2008-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67748
Abstract: 本发明提供处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质。利用CCD检测器(30)，对在处理单元(1)的入口附近的待机位置(W1)待机的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状进行摄像。根据摄取的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状，利用运算部(40)检测该圆弧形状的多个部位的位置数据，求得半导体晶片(W)的假想圆，计算其中心坐标，并计算待机位置(W1)的半导体晶片(W)的“位置偏移信息”。然后，基于该“位置偏移信息”通过控制器(50)控制搬送装置(12)，对处理单元(1)中的半导体晶片(W)的位置进行修正。
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公开(公告)号：CN101107702A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002813.8
申请日：2006-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种为了对基板实施相互相同的处理所设计的具备多个处理模块的处理系统的运转方法。当进行各处理模块的调节作为用于实施规定处理方案的准备时，每当一个处理模块的调节完成时，在从收纳未处理基板的盒体到该处理模块的搬送路径上逐次开始未处理基板的搬送，与此同时开始逐次对使用该处理模块的未处理基板进行处理。即使同一种类处理模块之间的调节所需时间不一致，也可以高效地运用处理系统。
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