公开(公告)号：CN113363143A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110239207.4

申请日：2021-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈部宪明 ,  清野拓哉 ,  小塚亮太 ,  滨田康弘 ,  季子祐太郎

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种处理晶片的方法，是用于以高纵横比进行含硅膜的蚀刻的技术。示例性实施方式所涉及的处理晶片的方法具备：准备具有基板和设置在基板上的含硅膜的晶片的工序。该方法还具备：在含硅膜上形成硬掩模的工序。该方法还具备：使用硬掩模对含硅膜进行蚀刻的工序。硬掩模具有包含钨且且设置在含硅膜上的第一膜、以及包含锆或者钛以及氧且设置在第一膜上的第二膜。

公开(公告)号：CN120072639A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411626463.9

申请日：2024-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清野拓哉 ,  滨田康弘 ,  光成正 ,  金子都

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供了一种提高蚀刻对象膜的蚀刻形状的技术，包括：(a)提供包含蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含限定至少一个开口的侧壁；(b)使用由含有碳和氢的处理气体生成的等离子体，在掩模上选择性形成含有碳的附加掩模的工序；和(c)使用由蚀刻气体生成的等离子体，对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。