公开(公告)号：CN119816921A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380066553.4

申请日：2023-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。

公开(公告)号：CN119585850A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380052545.4

申请日：2023-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  西冢哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

Abstract: 辅助等离子体处理装置中的工艺性能的提高。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、辅助装置以及控制装置，所述辅助装置具有：第一决定部，其构成为基于与处理前基板的构造有关的第一输入、与处理后基板的要求形状有关的第二输入、与所述等离子体处理装置的规格有关的第三输入以及与所述等离子体处理装置的状态有关的第四输入，使用第一机器学习模型来决定用于对所述处理前基板进行处理以使处理后基板的预测形状符合所述处理后基板的要求形状的多个控制参数；以及第二决定部，其构成为基于所决定的多个控制参数、所述第三输入以及所述第四输入，使用第二机器学习模型来决定所述等离子体处理装置的运用条件。

公开(公告)号：CN119923708A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380066588.8

申请日：2023-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向上被部分去除。在工序(b)中，上述一个区域的剩余部分被去除。

公开(公告)号：CN119816920A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380066539.4

申请日：2023-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），在第一膜上形成第二膜，其中，第二膜是含金属抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN119816786A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380053980.9

申请日：2023-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中根由太 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3Torr(40Pa)以上且小于100Torr(13332Pa)。