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公开(公告)号：CN119816920A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066539.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），在第一膜上形成第二膜，其中，第二膜是含金属抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN117099188A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024747.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供控制在被蚀刻膜上形成的开口的尺寸和/或形状的技术。本公开涉及的基板处理方法包含准备基板的工序，所述基板具有(a)被蚀刻膜、(b)在所述被蚀刻膜上形成且在所述被蚀刻膜上具有规定至少一个开口的侧壁的掩模膜、和(c)在所述掩模膜之中的至少所述侧壁上包围所述开口而形成且包含从由硼、磷、硫以及锡构成的组中选择的至少一种元素的保护膜；以及将所述保护膜以及所述掩模膜作为掩模蚀刻所述被蚀刻膜的工序。
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公开(公告)号：CN117096027A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310564019.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN119923708A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380066588.8
申请日：2023-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向上被部分去除。在工序(b)中，上述一个区域的剩余部分被去除。
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公开(公告)号：CN119816785A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063356.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基板进行显影，从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序。(b)的工序包括：(b1)将基板或基板支撑部的温度控制在第一温度而进行显影的工序；和(b2)将基板或基板支撑部的温度控制在与第一温度不同的第二温度而进行显影的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117121170A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027729.0
申请日：2022-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本公开提供改良基板上的含锡膜的技术。本公开涉及的基板处理方法包含：在腔室内准备基板的工序，所述基板具有被蚀刻膜和在被蚀刻膜上规定至少一个开口的含锡膜；以及向腔室供给包含含卤素气体或者含氧气体的处理气体，在含锡膜的表面形成改良膜的工序。
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公开(公告)号：CN113097061A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011447487.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 所公开的蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN119816921A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066553.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。
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公开(公告)号：CN119585842A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054369.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序，(b)的工序包括：(b1)相对于第一区域以第一选择比除去第二区域的工序；和(b2)相对于第一区域以不同于第一选择比的第二选择比进一步除去第二区域的工序。
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公开(公告)号：CN117316758A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310694554.5
申请日：2023-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/04 , C23C16/14
Abstract: 提供能够控制基板的开口尺寸的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具备蚀刻对象膜和形成在所述蚀刻对象膜上且具有在所述蚀刻对象膜上规定至少一个开口的侧面的含金属膜；(b)使用由第一处理气体生成的等离子体在含金属膜的表面的至少一部分上形成沉积膜的工序，所述第一处理气体包含含硅、碳或者金属的气体；以及(c)使用由第二处理气体生成的等离子体除去含金属膜的所述侧面的至少一部分的工序。还提供一种等离子体处理系统。
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