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公开(公告)号：CN115295677B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210996460.9
申请日：2022-08-19
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/18 , C23C14/00 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/28 , C23C14/35 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β‑Ga2O3薄膜耗尽层、n‑β‑Ga2O3:Sn导电薄膜、n+‑β‑Ga2O3:Sn电子收集层、MgO:Na或MgO:K薄膜钝化层和第二电极，p禁带导电薄膜的禁带宽度大于3.0eV。本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器，有效提高了β‑Ga2O3基异质结薄膜紫外探测器的响应度，应用在日盲波段探测方面前景广阔。
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公开(公告)号：CN101615640B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810039712.9
申请日：2008-06-27
Applicant: 上海电机学院
Inventor： 王相虎
IPC: H01L31/075 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氧化锌基太阳能电池，包括透明衬底层、透明衬底层表面的叠层和置于叠层中的电极，所述叠层包括位于透明衬底表面依次远离透明衬底的P型半导体层、光吸收层以及N型半导体层，所述N型半导体层中含有氧化锌纳米线材料。本发明的优点在于：所述太阳能电池的整体结构简单，并且制备工艺简单易行；太阳能电池的N型半导体层中含有氧化锌纳米线材料，可以提高了载流子的传输速度，从而提高了太阳能电池光电转化效率；采用全固态结构，能够克服液态接太阳能电池由于存在液态电解液而带来的诸多问题。
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公开(公告)号：CN101615640A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810039712.9
申请日：2008-06-27
Applicant: 上海电机学院
Inventor： 王相虎
IPC: H01L31/075 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氧化锌基太阳能电池，包括透明衬底层、透明衬底层表面的叠层和置于叠层中的电极，所述叠层包括位于透明衬底表面依次远离透明衬底的P型半导体层、光吸收层以及N型半导体层，所述N型半导体层中含有氧化锌纳米线材料。本发明的优点在于：所述太阳能电池的整体结构简单，并且制备工艺简单易行；太阳能电池的N型半导体层中含有氧化锌纳米线材料，可以提高了载流子的传输速度，从而提高了太阳能电池光电转化效率；采用全固态结构，能够克服液态接太阳能电池由于存在液态电解液而带来的诸多问题。
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公开(公告)号：CN119351964A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411434455.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明属于超宽禁带半导体材料与器件技术领域，具体公开了一种P型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明在Ar氛围下，利用射频磁控溅射装置在衬底表面形成掺杂有Bi、Cu元素的氧化镓薄膜，利用Bi6S和O2p轨道杂化在禁带中形成了新的价带，使得禁带宽度减小，降低了空穴的自陷能，从而提高了所形成Ga2O3薄膜的霍尔空穴掺杂浓度,使得制备的Ga2O3薄膜形成P型导电。
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公开(公告)号：CN115172512B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210866247.6
申请日：2022-07-22
Applicant: 上海电机学院
Inventor： 王相虎
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0352 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C30B25/18 , C30B29/40 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3基紫外探测器及制备方法，紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底(1)、n+‑β‑Ga2O3:Sn导电层(2)、第一电极(3)、n‑β‑Ga2O3:Sn纳米棒陈列(7)、p‑GaN层(5)和第二电极(6)。所述p‑GaN层(5)填充并置于所述n‑β‑Ga2O3:Sn纳米棒陈列(7)之上。2.根据权利要求1所述的β‑Ga2O3基紫外探测器，其特征在于，所述第一电极(3)与p‑GaN层(5)之间设置有第一绝缘层(4)。本发明提高了β‑Ga2O3基异质结紫外光探测器光响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119300520A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411383376.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 上海电机学院
IPC: H10F71/00 , H10F77/12 , H10F77/124 , H10F30/222
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种砷化镓/β相氧化镓异质结紫外光电探测器及制备方法。制备方法包括以下步骤：在砷化镓衬底上PLD生长β相氧化镓薄膜；在砷化镓衬底下表面沉积一层第一金属材料；在β相氧化镓薄膜表面沉积一层第二金属材料；对得到的器件进行退火使第一金属材料和第二金属材料形成欧姆接触以完成电极的制备，得到所述的β‑Ga2O3‑GaAs异质结紫外光电探测器。通过异质结增强了光生载流子的分离能力，并形成较好的薄膜结晶质量、较少的氧空位缺陷以及较好的表面平整度，促进Ga2O3异质结紫外探测器的实际应用。
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公开(公告)号：CN116103745A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211726317.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法，采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料，包括：选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料，按Mg3Sb2Yx:(Sb/Bi)＝1:1～5的摩尔比配料，Mg、Sb、Bi、Y依次放入高纯氮化硼坩埚中，坩埚放置于石英管内抽真空至10‑3‑10‑1Pa，封装，放入垂直布里奇曼生长炉中，炉温为800‑900℃，升温速率为50‑200℃/h，保温5‑15h，保证充分熔化均匀；石英管以0.2‑0.5mm/h的速度向下移动，当溶质在溶剂中达到饱和，晶体在坩埚内通过自发成核不断长大，获得高质量、大尺寸的Mg3Sb2单晶材料。
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公开(公告)号：CN103560180A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310573301.9
申请日：2013-11-15
Applicant: 上海电机学院
Inventor： 王相虎
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02422 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02603 , H01L21/02631
Abstract: 一种氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法，包括：氢化非晶硅薄膜制备步骤，用于在玻璃衬底上制备氢化非晶硅薄膜；氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤，用于利用化学腐蚀方法将氢化非晶硅薄膜制备成氢化非晶硅纳米线阵列。在氢化非晶硅薄膜制备步骤中，首先对玻璃衬底进行清洗；然后将清洗过的玻璃衬底放进磁控溅射设备中，利用磁控溅射设备在玻璃衬底上面制备氢化非晶硅薄膜。在氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤中，首先利用耐强酸树脂将未形成氢化非晶硅薄膜的衬底背面、以及氢化非晶硅薄膜周围密封，仅裸露形成有氢化非晶硅薄膜的面，然后浸入H2SO4和H2O2的混合溶液中，再浸入HF溶液中去除表面氧化物；再浸入AgNO3和HF混合的溶液，此后取出后用去离子水冲洗。
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公开(公告)号：CN102162129A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110082923.2
申请日：2011-04-02
Applicant: 上海电机学院
Inventor： 王相虎
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件技术领域，是一种p型氧化锌纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：（1）制备高纯度氧化锌薄膜过渡层：①选用石英、蓝宝石或硅制备衬底；②制备高纯度氧化锌薄膜过渡层；（2）P型氧化锌纳米棒阵列的制备：①选用锌钾合金源块与具有氧化锌过渡层的衬底一起放在石英舟上送真空退火炉的石英管中进行p型氧化锌纳米棒阵列的生长；②p型氧化锌纳米棒阵列的生长步骤为：一、给真空退火炉抽真空；二、给真空退火炉加热；三、通入Ar:O比值为2:1的混合气体，生长20分钟，获得p型氧化锌纳米棒阵列。本发明的积极效果是：可以有效解决p型氧化锌难以制备的问题，为生产氧化锌基光电子器件打下坚实的基础。
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公开(公告)号：CN115295677A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210996460.9
申请日：2022-08-19
Applicant: 上海电机学院
IPC: H01L31/18 , C23C14/00 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/28 , C23C14/35 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β‑Ga2O3薄膜耗尽层、n‑β‑Ga2O3:Sn导电薄膜、n+‑β‑Ga2O3:Sn电子收集层、MgO:Na或MgO:K薄膜钝化层和第二电极，p禁带导电薄膜的禁带宽度大于3.0eV。本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器，有效提高了β‑Ga2O3基异质结薄膜紫外探测器的响应度，应用在日盲波段探测方面前景广阔。
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