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公开(公告)号：CN119300520A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411383376.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 上海电机学院
IPC: H10F71/00 , H10F77/12 , H10F77/124 , H10F30/222
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种砷化镓/β相氧化镓异质结紫外光电探测器及制备方法。制备方法包括以下步骤：在砷化镓衬底上PLD生长β相氧化镓薄膜；在砷化镓衬底下表面沉积一层第一金属材料；在β相氧化镓薄膜表面沉积一层第二金属材料；对得到的器件进行退火使第一金属材料和第二金属材料形成欧姆接触以完成电极的制备，得到所述的β‑Ga2O3‑GaAs异质结紫外光电探测器。通过异质结增强了光生载流子的分离能力，并形成较好的薄膜结晶质量、较少的氧空位缺陷以及较好的表面平整度，促进Ga2O3异质结紫外探测器的实际应用。
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