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公开(公告)号：CN116043317A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211729460.9
申请日：2022-12-30
IPC: C30B11/00 , C30B28/02 , C30B29/46 , H01L31/0328 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种调控二维层状范德华材料结构和缺陷的方法及其应用，所述方法以钇(Y)，镝(Dy)等镧系稀土元素掺杂为手段，对二维范德华层状材料硒化铟(InSe)进行结构和缺陷调控，有效优化该材料的结构，提高该材料的层间作用力，明显抑制其内部本征层错的产生。通过稀土元素掺杂，首次发现了伽马(Gamma/γ)InSe优异的铁电特性；结合该材料没有深能级缺陷，且具有优异的电学性能以及适中可调的直接带隙(带隙与Si相当)，其光谱响应覆盖了从近红外到紫外的范围等特性；使得该材料在二维铁电光伏领域具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN118374869A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310152585.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明提供一种制备Ag9GaSe6热电半导体晶体的方法及装置，所述方法包括：将Ag9GaSe6籽晶装入石英坩埚的籽晶槽中；在石英坩埚内填入Ag9GaSe6多晶料，抽真空后进行密封；将石英坩埚用碳化硅套管进行封装，并用碳化硅粉进行包裹固定；将碳化硅套管随同石英坩埚一起移入区熔炉中，并置于下降机构之上，所述下降机构带动碳化硅套管向下移动从而实现晶体生长。本发明可有效制备Ag9GaSe6晶体以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN116103745A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211726317.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海电机学院
Abstract: 本发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法，采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料，包括：选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料，按Mg3Sb2Yx:(Sb/Bi)＝1:1～5的摩尔比配料，Mg、Sb、Bi、Y依次放入高纯氮化硼坩埚中，坩埚放置于石英管内抽真空至10‑3‑10‑1Pa，封装，放入垂直布里奇曼生长炉中，炉温为800‑900℃，升温速率为50‑200℃/h，保温5‑15h，保证充分熔化均匀；石英管以0.2‑0.5mm/h的速度向下移动，当溶质在溶剂中达到饱和，晶体在坩埚内通过自发成核不断长大，获得高质量、大尺寸的Mg3Sb2单晶材料。
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公开(公告)号：CN113493924B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010259005.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海交通大学 , 上海电机学院
Abstract: 本发明公开一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）分别称量In和Se的高纯颗粒作为初始原料，其中In和Se的摩尔比为47:53~53:47；（2）将所述初始原料真空封装，在摇摆炉中升温至熔融温度600‑900℃并保温0.5‑5小时后冷却，得到多晶棒；（3）将多晶棒真空封装，放置在位于三温区立式布里奇曼炉上部的高温区，以0.5‑3mm/h的速度下降并经过温度梯度为5‑20℃/cm的梯度区，随后进入位于三温区立式布里奇曼炉下部的低温区，待晶体生长完成获得单晶；（4）将得到的单晶进行退火。
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公开(公告)号：CN113493924A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010259005.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海交通大学 , 上海电机学院
Abstract: 本发明公开一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）分别称量In和Se的高纯颗粒作为初始原料，其中In和Se的摩尔比为47:53~53:47；（2）将所述初始原料真空封装，在摇摆炉中升温至熔融温度600‑900℃并保温0.5‑5小时后冷却，得到多晶棒；（3）将多晶棒真空封装，放置在位于三温区立式布里奇曼炉上部的高温区，以0.5‑3mm/h的速度下降并经过温度梯度为5‑20℃/cm的梯度区，随后进入位于三温区立式布里奇曼炉下部的低温区，待晶体生长完成获得单晶；（4）将得到的单晶进行退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110672224B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910963636.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 上海电机学院
IPC: G01K11/16
Abstract: 本发明提出一种基于有机可逆感温材料的测温装置，包括热传导单元与感温变色单元，热传导单元用于传递热源发出的热量，并随热源温度的变化而变化温度；感温变色单元附着于热传导单元上，并根据热传导单元的温度变化而变化颜色；还包括透明绝热单元，该透明绝热单元包覆于热传导单元及感温变色单元外部，热传导单元的传热端头部分从透明绝热单元中露出，感温变色单元的颜色变化情况可从透明绝热单元中透出；该测温装置基于有机可逆感温材料实现，利用工程传热学的基本原理，使得热源温度在测温装置上对应的刻度位置体现，操作者可以方便的通过感温材料的变色获得预热温度的参考值，为焊前热处理的温度检测提供了一种便捷准确的途径。
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公开(公告)号：CN115852471A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211398538.3
申请日：2022-11-09
Applicant: 上海电机学院
IPC: C30B11/00 , C30B28/02 , C30B29/46 , H10N10/852
Abstract: 本发明涉及一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法，该制备方法包括真空封装、多晶预熔和晶体生长步骤，具体为：以银和硒单质为原料，按化学式Ag2Se1+x进行配料，装入反应器(1)中，抽真空后进行封装；将反应器(1)放入高温摇摆炉中，从室温开始加热并保温，达到最高温度时开启摇摆，预熔结束后取出反应器(1)自然冷却；将反应器(1)置于布里奇曼炉中，从室温开始加热并保温，开始执行晶体生长过程，生长结束后炉冷。与现有技术相比，本发明通过优化布里奇曼生长炉的生长温度、温度梯度、下降速度等参量，获得具有明显晶面取向性的Ag2Se基热电晶体材料，其中所生长Ag2Se1.02晶体材料的热电无量纲优值在375K时可达到0.58，是一类良好的近室温热电材料。
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公开(公告)号：CN116043317B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211729460.9
申请日：2022-12-30
IPC: C30B11/00 , C30B28/02 , C30B29/46 , H01L31/0328 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种调控二维层状范德华材料结构和缺陷的方法及其应用，所述方法以钇(Y)，镝(Dy)等镧系稀土元素掺杂为手段，对二维范德华层状材料硒化铟(InSe)进行结构和缺陷调控，有效优化该材料的结构，提高该材料的层间作用力，明显抑制其内部本征层错的产生。通过稀土元素掺杂，首次发现了伽马(Gamma/γ)InSe优异的铁电特性；结合该材料没有深能级缺陷，且具有优异的电学性能以及适中可调的直接带隙(带隙与Si相当)，其光谱响应覆盖了从近红外到紫外的范围等特性；使得该材料在二维铁电光伏领域具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110672224A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910963636.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 上海电机学院
IPC: G01K11/16
Abstract: 本发明提出一种基于有机可逆感温材料的测温装置，包括热传导单元与感温变色单元，热传导单元用于传递热源发出的热量，并随热源温度的变化而变化温度；感温变色单元附着于热传导单元上，并根据热传导单元的温度变化而变化颜色；还包括透明绝热单元，该透明绝热单元包覆于热传导单元及感温变色单元外部，热传导单元的传热端头部分从透明绝热单元中露出，感温变色单元的颜色变化情况可从透明绝热单元中透出；该测温装置基于有机可逆感温材料实现，利用工程传热学的基本原理，使得热源温度在测温装置上对应的刻度位置体现，操作者可以方便的通过感温材料的变色获得预热温度的参考值，为焊前热处理的温度检测提供了一种便捷准确的途径。
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公开(公告)号：CN210005493U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201920833522.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 上海电机学院
IPC: G01N29/265
Abstract: 本实用新型公开了一种轨道车辆铝合金车体型材水浸超声相控阵检测平板小车，属于超声检测辅助设备技术领域。目的是解决现有技术轨道车辆铝合金车体型材水浸超声相控阵检测过程中，费时费力且检验速度慢的问题。平板小车，包括承重底板、轮子、浸水槽容器、推拉杆，所述轮子安装在承重底板的下方，所述浸水槽容器通过法兰安装在承重底板表面。本新型的平板小车选用螺栓连接，台面平整，可实现在轨道车辆铝合金车体连续长直搅拌摩擦焊焊缝水浸超声相控阵检测中沿着车体焊缝纵向移动。
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