公开(公告)号：CN115852471A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211398538.3

申请日：2022-11-09

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 林思琪 ,  金敏 ,  李荣斌 ,  郭林林

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/02 ,  C30B29/46 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明涉及一种Ag2Se基热电晶体材料及其制备方法，该制备方法包括真空封装、多晶预熔和晶体生长步骤，具体为：以银和硒单质为原料，按化学式Ag2Se1+x进行配料，装入反应器(1)中，抽真空后进行封装；将反应器(1)放入高温摇摆炉中，从室温开始加热并保温，达到最高温度时开启摇摆，预熔结束后取出反应器(1)自然冷却；将反应器(1)置于布里奇曼炉中，从室温开始加热并保温，开始执行晶体生长过程，生长结束后炉冷。与现有技术相比，本发明通过优化布里奇曼生长炉的生长温度、温度梯度、下降速度等参量，获得具有明显晶面取向性的Ag2Se基热电晶体材料，其中所生长Ag2Se1.02晶体材料的热电无量纲优值在375K时可达到0.58，是一类良好的近室温热电材料。

公开(公告)号：CN118374869A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202310152585.8

申请日：2023-02-22

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 金敏 ,  林思琪 ,  王翰名 ,  陆欣昱 ,  郑树颍

IPC: C30B13/00 ,  C30B29/46 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明提供一种制备Ag9GaSe6热电半导体晶体的方法及装置，所述方法包括：将Ag9GaSe6籽晶装入石英坩埚的籽晶槽中；在石英坩埚内填入Ag9GaSe6多晶料，抽真空后进行密封；将石英坩埚用碳化硅套管进行封装，并用碳化硅粉进行包裹固定；将碳化硅套管随同石英坩埚一起移入区熔炉中，并置于下降机构之上，所述下降机构带动碳化硅套管向下移动从而实现晶体生长。本发明可有效制备Ag9GaSe6晶体以满足实际应用需求。

公开(公告)号：CN116103745A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211726317.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 林思琪 ,  金敏 ,  杨淼森 ,  王相虎 ,  李荣斌

IPC: C30B9/12 ,  C30B11/04 ,  C30B11/00 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法，采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料，包括：选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料，按Mg3Sb2Yx:(Sb/Bi)＝1:1～5的摩尔比配料，Mg、Sb、Bi、Y依次放入高纯氮化硼坩埚中，坩埚放置于石英管内抽真空至10‑3‑10‑1Pa，封装，放入垂直布里奇曼生长炉中，炉温为800‑900℃，升温速率为50‑200℃/h，保温5‑15h，保证充分熔化均匀；石英管以0.2‑0.5mm/h的速度向下移动，当溶质在溶剂中达到饱和，晶体在坩埚内通过自发成核不断长大，获得高质量、大尺寸的Mg3Sb2单晶材料。