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公开(公告)号：CN108039409B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201711183761.5
申请日：2017-11-23
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种三维超导电极材料相变存储器的制备方法，采用超导材料作为相变存储单元的电极材料，在临界温度下可以减小相变存储单元的操作电流，实现存储单元的多层叠加，提高相变存储器的集成密度和存储容量。
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公开(公告)号：CN106788431B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201611178625.2
申请日：2016-12-19
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及模数转换技术，尤其涉及一种逐次逼近寄存器型模数转换器，包括取样比较器，数模转换器，控制器，寄存器，存储器，处理器和参考电路，比较器将输入模拟量与每个参考模拟量依次进行比较，并输出反映比较结果的一组组数字信号到存储器中，处理器读取并分析一时间段内的存储器中的数字信号，输出与该时间段对应的分析结果，实现处理器对分析结果的自学习更新过程；控制器从处理器接收分析结果，并根据分析结果改变参考模拟量或改变自身的控制信号，使得逐次逼近寄存器型模数转换器改变搜索策略，减少逼近次数，从而达到降低功耗，加快速度，增大分辨率的目的。
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公开(公告)号：CN108053850A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711354297.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G11C7/04 , G11C11/407
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN107819070A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711184979.2
申请日：2017-11-23
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法，采用超导材料铌作为电极材料制备相变存储器。本发明的技术方案，使得电极材料层、加热电极层、第一电极以及第二电极均采用超导材料制备，使得相变存储器的电极材料在临界温度时电极材料可以实现无损耗地传输电能，减小相变存储器的工作电流，进而有效降低相变材料的低阻态阻值，加大高低阻态的差异，使相变材料在非晶态和晶态的变化更为显著，提高了存储效率。
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公开(公告)号：CN108053850B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711354297.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G11C7/04 , G11C11/407
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538879A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810195274.9
申请日：2018-03-09
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于第一金属连线层的上表面；二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于二极管制备层的上表面；磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于磁隧道结形成层的上表面；第二金属连线层中制备有位线，位线与磁隧道结连接；其中，选通二极管的导通方向朝向字线；能够形成单位面积大的选通二极管，保证了选通二极管的驱动电流，保证了存储单元的存储功能的优良。
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公开(公告)号：CN107820377A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711057075.3
申请日：2017-10-24
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种板级电路定点加热装置及方法，其属于电路保护领域的技术，装置包括：隔热板和若干加热孔，其中：加热孔分布于隔热板，加热孔中嵌有加热体，加热体之间通过设置于隔热板表面的金属线相连，方法包括：步骤S1，在所述隔热板的表面铺设倒S形设置的所述金属线；步骤S2，在所述隔热板的表面涂覆所述绝缘漆；步骤S3，在所述隔热板的表面的预设位置开设所述加热孔；步骤S4，在所述加热孔中嵌设所述加热体。该技术方案的有益效果是：本装置体积小，加热效率高，能够大大减少功耗。
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公开(公告)号：CN106485317A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610851931.1
申请日：2016-09-26
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/06
Abstract: 本发明涉及一种神经网络的数据处理方法，尤其涉及一种神经网络加速器和神经网络模型的实现方法。一种神经网络加速器的实现方法，包括非易失性存储器，非易失性存储器包括在后道制造工艺流程中制备的数据存储阵列，在制备数据存储阵列的前道制造工艺流程中，在数据存储阵列下方的硅衬底上制备神经网络加速器电路。一种神经网络模型的实现方法，神经网络模型包括输入信号、连接权信号、偏置、激活函数、运算函数和输出信号，激活函数和运算函数通过神经网络加速器电路实现；输入信号、连接权值、偏置和输出信号保存至数据存储阵列中。直接在数据存储阵列的下方实现神经网络加速器电路，使得数据存储带宽不受限制，并且掉电后数据依然不丢失。
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公开(公告)号：CN106372723A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610849768.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重，通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括：利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压；N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重；N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。
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公开(公告)号：CN107731732A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711071285.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种深沟槽隔离结构，形成于一衬底之上的有源区结构之间的一沟槽内，沟槽及深沟槽隔离结构向下延伸至衬底中；包括覆盖沟槽内壁及底部的绝缘层，以及填充覆盖绝缘层后的沟槽的一填充层；还包括：接触结构，连接填充层的上表面；金属层，形成于接触结构的上方并与接触结构连接，用于接收外部电场以改变填充层中的电位；能够通过改变深沟槽隔离结构中填充层的电位，进而阻止电荷隧穿进入填充层，以及避免深沟槽隔离结构底部的等离子损伤而残留的电荷形成的导电通道，从而改善了隔离的有源区结构之间出现的漏电流的情况。
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