公开(公告)号：CN108447910A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810187224.6

申请日：2018-03-07

Applicant: 上海新储集成电路有限公司

Inventor： 陈邦明 ,  王本艳 ,  景蔚亮 ,  黄添益

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，其属于晶体管领域的技术，包括：硼磷硅玻璃层，所述硼磷硅玻璃层设置于所述外延层上方；所述阱区内依次设有漏极、栅极、源极和衬底极；所述栅极包括：第一导片，所述第一导片设置于所述硼磷硅玻璃层上表面；第一导柱，所述第一导柱穿设于所述硼磷硅玻璃层中；多晶硅体，所述多晶硅体横截面为V字形，所述多晶硅体的尖端嵌设于所述外延层中；所述第一导柱两端分别与所述第一导片和所述多晶硅体相连。该技术方案的有益效果是：本发明加长了导电沟道，增强了栅极的控制的效果，降低了漏电流与功耗，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN108053850A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711354297.1

申请日：2017-12-15

Applicant: 上海新储集成电路有限公司

Inventor： 王本艳 ,  黄添益 ,  陈邦明 ,  景蔚亮

IPC: G11C7/04 ,  G11C11/407

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。

公开(公告)号：CN108053850B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201711354297.1

申请日：2017-12-15

Applicant: 上海新储集成电路有限公司

Inventor： 王本艳 ,  黄添益 ,  陈邦明 ,  景蔚亮 ,  寇煦丰

IPC: G11C7/04 ,  G11C11/407

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。

公开(公告)号：CN107820377A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711057075.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 上海新储集成电路有限公司

Inventor： 陈邦明 ,  王本艳 ,  黄添益

IPC: H05K7/20 ,  H05K1/02 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明公开了一种板级电路定点加热装置及方法，其属于电路保护领域的技术，装置包括：隔热板和若干加热孔，其中：加热孔分布于隔热板，加热孔中嵌有加热体，加热体之间通过设置于隔热板表面的金属线相连，方法包括：步骤S1，在所述隔热板的表面铺设倒S形设置的所述金属线；步骤S2，在所述隔热板的表面涂覆所述绝缘漆；步骤S3，在所述隔热板的表面的预设位置开设所述加热孔；步骤S4，在所述加热孔中嵌设所述加热体。该技术方案的有益效果是：本装置体积小，加热效率高，能够大大减少功耗。

公开(公告)号：CN107070452A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710197756.3

申请日：2017-03-29

Applicant: 上海新储集成电路有限公司

Inventor： 黄添益 ,  王本艳 ,  陈邦明 ,  景蔚亮

IPC: H03M1/00

CPC classification number: H03M1/002

Abstract: 本发明提供一种能够降低模数转换器功耗的模数转换系统，包括：窗口比较器，具有一预设的标准幅值变化范围，采集当前时刻的模拟电压信号及前一时刻的模拟电压信号并进行比对以判断当前信号相对于前一刻信号的实际变化值是否在标准幅值变化范围内并输出第一比对结果；模数转换器，将模拟信号转换为数字信号并输出；控制器，连接窗口比较器和模数转换器，分别控制窗口比较器和模数转换器的通断；控制器根据窗口比较器输出的第一比对结果，在实际变化值在标准幅值变化范围内时ADC处于关闭状态，实际变化值不在标准幅值变化范围内时，ADC处于接通状态。本发明的有益效果：从整体架构着手而非局限于ADC本身的结构，降低ADC的功耗。

公开(公告)号：CN106406767A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610849777.4

申请日：2016-09-26

Applicant: 上海新储集成电路有限公司

Inventor： 景蔚亮 ,  黄添益 ,  陈邦明

IPC: G06F3/06 ,  G06F1/26

CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F1/263 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0679

Abstract: 本发明涉及非易失性存储领域，尤其涉及一种非易失性双列直插式存储器及存储方法。本发明中，当系统掉电后，备份数据所需要的NVM容量大大小于传统的NVDIMM，这将大大降低NVDIMM的价格、超级电容的容量、发热量等，对于大量使用NVDIMM的数据中心等是一个很大的改善。