一种快速降温装置及方法

    公开(公告)号:CN109686709A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811526813.9

    申请日:2018-12-13

    CPC classification number: H01L23/467 H01L23/427 H01L23/473

    Abstract: 本发明公开一种快速降温装置及方法,应用于半导体制造领域,其中,快速降温装置电连接一控制器,快速降温装置用以对半导体元器件进行快速降温处理;快速降温装置包括:空气泵;空气干燥器,至少一个空气干燥器构成空气干燥器组,每一空气干燥器内至少设置一干燥芯,每一干燥芯均与空气泵连通;装载箱,装载箱用以装载半导体元器件;冷凝剂容器,冷凝剂容器设置于装载箱内,冷凝剂容器至少包括一个冷凝剂喷嘴;烘干器,烘干器位于空气干燥器的下方,至少容纳一个干燥芯。有益效果:能够达到预期降温效果,使得冷凝剂的用量降低,节省使用成本,能够使得电路板和/或芯片需要降温的地方达到快速降温的效果,使得系统性能得以提升。

    一种开关系统及动态随机存储器

    公开(公告)号:CN108053850B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201711354297.1

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种开关系统,应用于一极低温环境下;开关系统包括:全耗尽型的SOI器件,包括源极、栅极、漏极以及衬底;温度反馈电路,包括一温度采样端和一电压输出端;电压输出端连接衬底;温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号,并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压;温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接,用于输出调节电压至衬底中;SOI器件在调节电压的调节下进行工作;能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生,进而避免翘曲效应的产生,提高器件性能。

    一种三维存储器的存储单元结构

    公开(公告)号:CN108538879A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810195274.9

    申请日:2018-03-09

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构,包括:第一金属连线层,制备有字线;二极管制备层,形成于第一金属连线层的上表面;二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管;磁隧道结形成层,形成于二极管制备层的上表面;磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结;第二金属连线层,形成于磁隧道结形成层的上表面;第二金属连线层中制备有位线,位线与磁隧道结连接;其中,选通二极管的导通方向朝向字线;能够形成单位面积大的选通二极管,保证了选通二极管的驱动电流,保证了存储单元的存储功能的优良。

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