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公开(公告)号：CN105224472B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510695351.3
申请日：2015-10-22
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种寻找常用内容的匹配方法及系统。应用于对存储单元中的内容进行搜索的过程中，确定所述存储单元中的存储内容所对应地址的搜索顺序；发送待匹配内容至所述存储单元中，按照所述搜索顺序，在所述存储单元中依次对所述地址进行搜索，并将所述待匹配内容与所述地址对应的内容进行逐一匹配；在所述存储单元中，确定与所述待匹配内容相匹配的搜索内容，并根据所述搜索内容确定对应的搜索地址；将所述搜索地址在所述搜索顺序中置顶，更新所述搜索顺序。
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公开(公告)号：CN103593160B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310539653.2
申请日：2013-11-04
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种基于相变存储单元的随机数字发生器，包括：相变存储单元，其随输入的电流改变其电阻值；控制单元，与相变存储单元的两端连接，其控制相变存储单元两端的导通状态；充放电单元，其与相变存储单元的一端连接，充放电单元在控制单元的控制下实现充电或放电；充放电单元在充电或放电过程中与相变存储单元之间形成电流，相变存储单元因电流改变电阻值，电流根据相变材料的电阻值生成电平与延迟随机的随机数字。本发明根据相变材料的电阻值随机变化，从而生成真随机数字。
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公开(公告)号：CN103761990A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410056343.X
申请日：2014-02-19
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G11C17/06
Abstract: 本发明公开了一种减少只读存储器漏电流的方法，计算待存入只读存储器的逻辑数据的总数；计算逻辑数据中高电平逻辑数据的数量；将逻辑数据存入只读存储器中；若高电平逻辑数据的数量大于逻辑数据的总数的一半，则将逻辑数据取反后存入只读存储器中。本发明还公开了一种减少只读存储器漏电流的方法，通过获取待存入只读存储器的逻辑数据中高电平逻辑数据的存储地址；步骤二：将高电平逻辑数据的存储地址转换为只读存储器的存储单元阵列中同一行或同一列存储单元的地址；步骤三：将逻辑数据按转换后的地址存入只读存储器中。本发明以较小面积的芯片与较低的延迟减少只读存储器的漏电流和静态功耗，降低漏电流对数据存储与读取的干扰。
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公开(公告)号：CN106788431B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201611178625.2
申请日：2016-12-19
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及模数转换技术，尤其涉及一种逐次逼近寄存器型模数转换器，包括取样比较器，数模转换器，控制器，寄存器，存储器，处理器和参考电路，比较器将输入模拟量与每个参考模拟量依次进行比较，并输出反映比较结果的一组组数字信号到存储器中，处理器读取并分析一时间段内的存储器中的数字信号，输出与该时间段对应的分析结果，实现处理器对分析结果的自学习更新过程；控制器从处理器接收分析结果，并根据分析结果改变参考模拟量或改变自身的控制信号，使得逐次逼近寄存器型模数转换器改变搜索策略，减少逼近次数，从而达到降低功耗，加快速度，增大分辨率的目的。
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公开(公告)号：CN105411148A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510715881.X
申请日：2015-10-28
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电卷梳，尤其涉及一种智能便携式电卷梳，通过一蓄电池为电卷梳提供电能，感测模块感测头发的发质及感测模块感应的温度，控制模块根据头发的发质、是否接触到头皮及感应到的温度控制智能便携式电卷梳是需要加热还是保持温度等，当需要加热时，通过加热棒对感测模块进行加热，加热到一定温度后保持温度，用户可以对头发进行卷曲操作，本技术方案的智能便携式电卷梳小巧、便捷使用，可智能调节电卷梳的温度，同样提出便携式智能电卷梳携带充电的蓄电池，可在不插电源情况下也能方便使用。本发明提出的智能便携式电卷梳具有神经网络的特性，可根据使用过程中遇到的不同情况做出不同的调节，同样具备记忆功能，可让使用者在平时使用的时候更加方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106485317A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610851931.1
申请日：2016-09-26
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/06
Abstract: 本发明涉及一种神经网络的数据处理方法，尤其涉及一种神经网络加速器和神经网络模型的实现方法。一种神经网络加速器的实现方法，包括非易失性存储器，非易失性存储器包括在后道制造工艺流程中制备的数据存储阵列，在制备数据存储阵列的前道制造工艺流程中，在数据存储阵列下方的硅衬底上制备神经网络加速器电路。一种神经网络模型的实现方法，神经网络模型包括输入信号、连接权信号、偏置、激活函数、运算函数和输出信号，激活函数和运算函数通过神经网络加速器电路实现；输入信号、连接权值、偏置和输出信号保存至数据存储阵列中。直接在数据存储阵列的下方实现神经网络加速器电路，使得数据存储带宽不受限制，并且掉电后数据依然不丢失。
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公开(公告)号：CN106372723A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610849768.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重，通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括：利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压；N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重；N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。
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公开(公告)号：CN105404925A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510734024.4
申请日：2015-11-02
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种三维神经网络芯片。包括，存储单元，所述存储单元采用三维立体式堆叠形成；用以存储权重因子，运算单元，连接所述存储单元，接收所述权重因子，并根据外部输入的数据结合所述权重因子计算形成一计算结果输出。与现有技术相比，本发明的优点是：本申请中，三维神经网络芯片的存储单元采用三维立体式堆叠形成；大大提高了存储单元的存储容量，提高了三维神经网络芯片的集成度，同时降低了存储单元的生产成本。
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公开(公告)号：CN103617809A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310656045.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明公开了一种可就地执行的非挥发存储器，包括：存储芯片组，其包括至少一个闪存芯片，实现存储与读取数据；控制模块，其与所述存储芯片组连接，控制并实现在所述存储芯片组中读取指令与数据执行。本发明克服了NAND闪存的缺陷，使可就地执行的存储器的成本大幅度下降，且存储空间得到提高。
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公开(公告)号：CN106372723B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610849768.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 上海新储集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重，通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括：利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压；N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重；N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。
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