一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN116625193A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310588296.2

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置及方法,通过采用两台共聚焦显微镜直接定位量块的两个测量面,实现量块长度的测量,无需借助辅助面,避免了采用其他原理单方向测量时存在的量块与辅助面研合间隙造成的测量误差,结果更为准确可靠。本发明涉及的一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置采用两台共聚焦显微镜对顶测量的方式,通过定位量块两个测量面实现测量,无需进行全范围扫描,仅需在量块的测量面附近进行慢速扫描,其余位置均可快速移动,在测量长度较长的量块时,可有效提升测量效率。

    一种角度可调的高精度载物台装置

    公开(公告)号:CN112782839A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110201102.X

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明涉及的一种角度可调的高精度载物台装置,在本发明的一种角度可调的高精度载物台装置中,底座与载物台之间通过固定支承柱及两个活动支承柱三点支承,通过两个驱动机构分别驱动两个滑动杆使得滑动杆前端的斜坡面将两个顶珠顶起不同高度,从而使得载物台的位姿得以调节,由于滚珠及顶珠均与运动零件滚动摩擦,所以摩擦力小,不会发生窜动,使得载物台的位姿调整顺畅平稳。由此可见,本发明的一种角度可调的高精度载物台装置能够方便地调整载物台的位姿,结构简单,运动平稳顺畅。

    一种角度可调的高精度载物台装置

    公开(公告)号:CN214335358U

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202120396080.2

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本实用新型涉及的一种角度可调的高精度载物台装置,在本实用新型的一种角度可调的高精度载物台装置中,底座与载物台之间通过固定支承柱及两个活动支承柱三点支承,通过两个驱动机构分别驱动两个滑动杆使得滑动杆前端的斜坡面将两个顶珠顶起不同高度,从而使得载物台的位姿得以调节,由于滚珠及顶珠均与运动零件滚动摩擦,所以摩擦力小,不会发生窜动,使得载物台的位姿调整顺畅平稳。由此可见,本实用新型的一种角度可调的高精度载物台装置能够方便地调整载物台的位姿,结构简单,运动平稳顺畅。

    一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置

    公开(公告)号:CN220398407U

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202321259010.8

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本实用新型涉及一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置,通过采用两台共聚焦显微镜直接定位量块的两个测量面,实现量块长度的测量,无需借助辅助面,避免了采用其他原理单方向测量时存在的量块与辅助面研合间隙造成的测量误差,结果更为准确可靠。本实用新型涉及的一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置采用两台共聚焦显微镜对顶测量的方式,通过定位量块两个测量面实现测量,无需进行全范围扫描,仅需在量块的测量面附近进行慢速扫描,其余位置均可快速移动,在测量长度较长的量块时,可有效提升测量效率。

    一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法

    公开(公告)号:CN110726378A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201911100142.4

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法,在利用本发明的一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置对样品表面参数进行测量时,开启激光光源并对X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器进行校正之后,将测端球沿被测样品的表面接触扫描;测端球通过测针以及中心连接部带动四棱锥反射镜产生位置变化,从而使得四棱锥反射镜的三个反射面反射至X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器上的光斑产生偏移量;根据光斑所产生的偏移量可以得出测端球与样品表面接触点的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向的坐标参数。

    采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN109238155B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201811296986.6

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量SiO2薄膜的厚度,所述的等效物理结构模型是根据SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底层,其中所述的中间混合层为Si基底层与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

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