基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN113325462A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110447448.8

    申请日:2021-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法,首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I),选用基底为BaF2单晶闪烁体,公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应,在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV,γ射线衰减时间约为11ns,是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等,它们结合钙钛矿材料,同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。

    基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法

    公开(公告)号:CN113325462B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202110447448.8

    申请日:2021-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法,首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I),选用基底为BaF2单晶闪烁体,公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应,在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV,γ射线衰减时间约为11ns,是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等,它们结合钙钛矿材料,同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。

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