原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113502128B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202110607372.0

    申请日:2021-06-01

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液,是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中,形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极小的间隙以及气泡极短的生存时间,从而在抛光区域形成分布不一的微米级以及纳米级氢气气泡。与常规硅溶胶相比,本发明原位形成微纳气泡的抛光液对二氧化硅晶片的材料去除率提高了400%,并可有效降低二氧化硅晶片的表面粗糙度。

    一种基于SPI总线的双处理器通信方法

    公开(公告)号:CN102508812A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110387599.5

    申请日:2011-11-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于SPI总线的双处理器通信方法。本方法用于双处理器间使用SPI总线进行高速双向通信。本方法是:在SPI总线物理层四线制的基础上,增加了一条HandShaking线,构成五线制SPI总线,使之能够进行双向通信;在数据链路层上包括采用“0比特插入法”,使用CS信号和HandShaking信号和反馈消息组合完成对五线制SPI总线的同步机制;使用反馈信息中的“接收缓冲区剩余容量”对五线制SPI总线的流量控制;采用CRC校验和反馈信息中的确认字符“0x7F”,完成对该发明中的五线制SPI总线的错误处理。该方法具有扩展简单、应用方便,且与其他总线兼容的特点,同时可以获得极高的通信速率,满足双处理器间高速通信的要求,可广泛应用于所有多处理器的系统设计中。

    重启优化的前瞻线程颗粒及其重启优化方法

    公开(公告)号:CN101520724B

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN200910048313.3

    申请日:2009-03-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种重启优化的前瞻线程颗粒及其重启优化方法,该前瞻线程颗粒由输入参数标识部分、执行部分、结果存储部分组成,输入参数标识部分由N+1个依次排列的二进制位构成,它用于标识前瞻线程颗粒是否使用了所述输入参数标识位组对应的输入参数;执行部分由前瞻线程中的若干程序语句构成,用于存储所述前瞻线程颗粒的执行语句;结果存储部分用于存储前瞻线程颗粒的执行结果。该重启优化方法操作步骤如下:A、检测失效的前瞻线程输入参数;B、查找依赖于步骤A中失效的前瞻线程输入参数的前瞻线程颗粒;C、将步骤B查找到的前瞻线程颗粒重启。本发明具有显著优点:它能够迅速判断前瞻失效时必须重启的前瞻线程颗粒,降低线程重启代价。

    花生状氧化硅磨粒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111269695A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010132809.5

    申请日:2020-02-29

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种花生状氧化硅磨粒及其制备方法和应用,所述花生状氧化硅磨粒组成及质量百分比为:在花生状氧化硅磨粒中,W:SiO2比例为0.1-0.7wt.%,花生状氧化硅磨粒为非球状的花生状。花生状氧化硅磨粒的制备方法,包括活性硅酸溶液的制备、球形氧化硅种子混合液制备、钨酸钠水溶液滴加、钨元素诱导制备花生状氧化硅磨粒。与传统球形氧化硅磨粒相比,本发明花生状氧化硅磨粒对氧化锆陶瓷盖板进行抛光,可有效地提高材料去除率,并降低氧化锆陶瓷盖板的表面粗糙度。其中,与传统的纯球形氧化硅磨粒相比,钨元素质量分数为0.5wt.%的花生状氧化硅磨粒抛光氧化锆陶瓷盖板的材料去除率提高了38.82%。

    基于格子Boltzmann方法的并行CFD方法

    公开(公告)号:CN103345580B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201310274574.3

    申请日:2013-07-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于格子Boltzmann方法的并行CFD方法。该方法能针对各种复杂的物体并行地进行流体力学的计算与分析,其特点在于引入了适合于格子Boltzmann方法的并行分布式网格剖分方法,使得网格剖分时间大大缩短,同时根据的分布式计算机体系结构,构建了减少格子Boltzmann方法在并行迭代计算中的通信量算法,加速了迭代的速度,提高了算法的可扩展性,使得格子Boltzmann方法适用于大规模计算。大量的数值实验证明了该并行计算方法具有良好的可扩展性,并且更加适合于超大规模的计算系统。

    适用于格子Boltzmann方法的多重笛卡尔网格生成方法

    公开(公告)号:CN103337097A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310274562.0

    申请日:2013-07-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于格子Boltzmann方法的多重笛卡尔网格生成方法。该方法能对任何复杂几何的物体的内部或外部生成多重笛卡尔网格,其步骤如下:A、根据用户是要求设置多重笛卡尔网格的参数;B、计算生成最粗的单重网格,并利用射线法判断网格单元中心与物体的相对位置,如果在内部就删除该网格单元,如果在物体边界上则计算网格单元中心到边界的距离(该距离在LBM方法中将要使用);C、逐层地从物体表面开始对网格进行加密,生成的子网格单元也需要判断与物体的相对位置,如果在内部就删除该子网格单元,如果在物体边界上则计算子网格单元中心到边界的距离,最后搜索形成子网格的邻居信息。通过上面的步骤最终形成多重的笛卡尔网格。

    棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN112480868B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202011242856.1

    申请日:2020-11-10

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用,属于表面抛光加工领域,具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒,先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒,随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒,相比于传统球形氧化硅磨粒,在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时,因抛光时的接触模式由点接触变为线接触,增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积,从而提高抛光速率,材料去除率同比增加达到71%,可实现更好的抛光效果。

    一种调控催化剂自转来强化低温烟气NH3-SCR脱硝的方法及装置

    公开(公告)号:CN113797751A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111265565.9

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明提供了一种通过调控催化剂自转来强化低温烟气NH3‑SCR脱硝的方法,包括:步骤1、低温烟气和氨气以1:1‑1:1.2的摩尔比先充分混合得混合气体;步骤2、混合气体输送至催化剂自转反应器(3);步骤3、混合气体与在催化剂自转反应器(3)中转动,并在催化剂微界面上完成SCR反应;步骤4、反应降温后的催化剂颗粒从催化剂自转反应器(3)的中心管顶部掉入催化剂加热再生器,进行加热再生,净化气体从催化剂自转反应器(3)顶部排出;步骤5、催化剂在加热再生器中升温至300℃以上后,再循环使用。本发明的方法与装置脱硝效果显著,工艺简单、催化剂抗毒性强、运行成本低。

    原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113502128A

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202110607372.0

    申请日:2021-06-01

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液,是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中,形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极小的间隙以及气泡极短的生存时间,从而在抛光区域形成分布不一的微米级以及纳米级氢气气泡。与常规硅溶胶相比,本发明原位形成微纳气泡的抛光液对二氧化硅晶片的材料去除率提高了400%,并可有效降低二氧化硅晶片的表面粗糙度。

    棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN112480868A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011242856.1

    申请日:2020-11-10

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用,属于表面抛光加工领域,具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒,先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒,随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒,相比于传统球形氧化硅磨粒,在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时,因抛光时的接触模式由点接触变为线接触,增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积,从而提高抛光速率,材料去除率同比增加达到71%,可实现更好的抛光效果。

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