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公开(公告)号：CN116285895B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310222660.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合磨粒、其制备方法及应用，涉及抛光磨料生产技术领域，首先通过对纯氧化铈磨粒进行氨基改性处理，制得氨基改性的氧化铈磨粒，再对其进行乙二胺四乙酸接枝处理，制得乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合磨粒，采用该种复合磨粒制备的抛光液分散性优，显著减少了硬团聚，在应用在玻璃抛光上时，能够显著提升抛光效率和抛光质量。
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公开(公告)号：CN112480868B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011242856.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用，属于表面抛光加工领域，具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒，先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒，随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒，相比于传统球形氧化硅磨粒，在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时，因抛光时的接触模式由点接触变为线接触，增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积，从而提高抛光速率，材料去除率同比增加达到71％，可实现更好的抛光效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113502128A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110607372.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液，是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中，形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极小的间隙以及气泡极短的生存时间，从而在抛光区域形成分布不一的微米级以及纳米级氢气气泡。与常规硅溶胶相比，本发明原位形成微纳气泡的抛光液对二氧化硅晶片的材料去除率提高了400％，并可有效降低二氧化硅晶片的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN112480868A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011242856.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用，属于表面抛光加工领域，具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒，先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒，随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒，相比于传统球形氧化硅磨粒，在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时，因抛光时的接触模式由点接触变为线接触，增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积，从而提高抛光速率，材料去除率同比增加达到71％，可实现更好的抛光效果。
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公开(公告)号：CN116285895A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310222660.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合磨粒、其制备方法及应用，涉及抛光磨料生产技术领域，首先通过对纯氧化铈磨粒进行氨基改性处理，制得氨基改性的氧化铈磨粒，再对其进行乙二胺四乙酸接枝处理，制得乙二胺四乙酸接枝氧化铈复合磨粒，采用该种复合磨粒制备的抛光液分散性优，显著减少了硬团聚，在应用在玻璃抛光上时，能够显著提升抛光效率和抛光质量。
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公开(公告)号：CN113502128B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110607372.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液，是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中，形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极小的间隙以及气泡极短的生存时间，从而在抛光区域形成分布不一的微米级以及纳米级氢气气泡。与常规硅溶胶相比，本发明原位形成微纳气泡的抛光液对二氧化硅晶片的材料去除率提高了400％，并可有效降低二氧化硅晶片的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN102298328A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110195257.3
申请日：2011-07-13
Applicant: 上海电力建设启动调整试验所 , 上海大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种基于二进制蚁群算法的自适应PID控制器优化设计与整定方法。本方法能够在开环、闭环两种状态下根据设定的性能指标自动优化设计PID控制器结构并在线优化对应控制参数。本发明中提出一种最大最小二进制蚁群优化算法用于实现对象的系统辨识、控制结构设计和参数优化，具体实现中根据参数精度与范围自适应设定二进制蚁群算法的编码长度等参数，提出的依据信息素最大最小极限概率判定重新初始化的方法能进一步提高算法的全局优化性能，提高控制器的优化控制品质。该PID控制器优化设计与参数整定方法具有普遍适用性和灵活性，应用简单，可广泛应用于工业控制中PID控制器的优化设计整定。
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